7N60C为N沟道增强型高压功率MOS场效应管。该产品广泛适用于AC-DC开关电源， DC-DC电源转换器，高压H桥PMW马达驱动。
产品特点：
7A,600V，RDS(on)(典型值）0.8Ω
低电荷、低反向传输电容
开关速度快
漏极—漏极电压（VDS）:600V
漏极电流(ID):7A
栅源电压（VGS）:&plu***n;30V
耗散功率（PD）:48W
结温（TJ）:150℃
储存温度(Tstg):-55~150℃
详细参数：请直接来电或参照产品规格书
深圳市浩畅半导体有限公司成立于2008年, ***研发、生产、销售半导体分立器件及IC。选购国内外***半导体厂家的晶圆芯片，OEM委托国内半导体封装大厂生产加工。主营贴片二、三极管系列，高、低压MOS系列，电源管理IC（AC-DC/DC-DC)， LDO低压差线性稳压器，三端稳压IC，基准源IC，LED驱动IC，***、升压IC，电压检测，运算放大器，电压比较器，时基电路，功放电路，可控硅，整流桥等系列产品。