IPA60R125P6和IPA60R280E6单端场效应管
详细参数：
IPA60R125P6：批号 1704+ 封装：TO-220 品牌：INFINEON
规格：
FET 类型 N 沟道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 600V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 30A（Tc）
驱动电压（***大 *** On，***小 *** On） 10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（***大值） 4.5V @ 960µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（***大值） 56nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（***大值） 2660pF @ 100V
Vgs（***大值） &plu***n;20V
FET 功能 -
功率耗散（***大值） 34W（Tc）
不同 Id，Vgs 时的 *** On（***大值） 125 毫欧 @ 11.6A，10V
工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型 通孔
供应商器件封装 PG-TO-220-FP
封装/外壳 TO-220-3 整包
IPA60R280E6：批号 1709+ 封装：TO-220 品牌：INFINEON
规格：
FET 类型 N 沟道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 600V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 13.8A（Tc）
驱动电压（***大 *** On，***小 *** On） 10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（***大值） 3.5V @ 430µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（***大值） 43nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（***大值） 950pF @ 100V
Vgs（***大值） &plu***n;20V
FET 功能 -
功率耗散（***大值） 32W（Tc）
不同 Id，Vgs 时的 *** On（***大值） 280 毫欧 @ 6.5A，10V
工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型 通孔
供应商器件封装 PG-TO-220-FP
封装/外壳 TO-220-3 整包
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优惠货源：
V23990-P180-A20-PM
P180A2006
SE2614BT
IPW60R070C6
IPA60R380P6
IPA60R125P6
IPA60R280E6
VND5160JTR
EKMC1603111
TSL25711FN
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TSL25711FN