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规格：
FET 类型 N 沟道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 300V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 140A（Tc）
驱动电压（***大 *** On，***小 *** On） 10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（***大值） 5V @ 8mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（***大值） 185nC @ 10V
Voltage Coupled to Gate Charge（Qg）（Max） @ Vgs 10V
Vgs（***大值） &plu***n;20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（***大值） 14800pF @ 25V
Voltage Coupled to Input Capacitance（Ciss）（Max） @ Vds 25V
FET 功能 -
功率耗散（***大值） 1040W（Tc）
不同 Id，Vgs 时的 *** On（***大值） 24 毫欧 @ 70A，10V
工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型 通孔
供应商器件封装 TO-264AA（IXFK）
封装/外壳 TO-264-3，TO-264AA
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