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产品规格：
驱动配置 半桥
通道类型 独立式
驱动器数 2
栅极类型 IGBT，N 沟道 MOSFET
电压 - 电源 5 V ~ 20 V
逻辑电压 - VIL，VIH 0.8V，2.5V
电流 - 峰值输出（灌入，拉出） 200mA，350mA
输入类型 非反相
高压侧电压 - 最大值（自举） 600V
上升/下降时间（典型值） 130ns，50ns
工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）
安装类型 表面贴装
封装/外壳 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
供应商器件封装 8-SOIC
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网上所标价均不是实价，库存与实际略有差错，下单前先来电联系客服人员，欢迎各位广大顾客的致电咨询！！！