快速退火炉系统是一个简单稳定的热处理系统，适合于广泛***大尺寸为直径2~12英寸的基片材料和结构的快速热低温退火(RTA)，（如电子级硅、钢铁、玻璃、单晶硅、III-V族化合物、II-VI族化合物、锗、超导体、陶瓷等等）。快速退火炉配有一个管状石英反应室或不锈钢腔体，因此可兼容处理***大长度为300毫米的3 D样片。
法国RTP系列的快速退火炉由法国Semco公司***开发制造，法国工艺保障。温度均匀度≤1%，处理的***大尺寸可以达到300mm，***高温度可以达到1200摄氏度，处理过程可以在真空环境或者惰性气体的环境中执行，做多可支持4路进气，可以用到的气体包含N2，O2，N2H2，Ar和H2。
基于PID处理控制器的Eurotherm可以存储20套程序，每套程序可以支持高达100个步骤的设定，带USB2.0的接口。包含UniSoft 软件，与微软Windows操作系统兼容。通过该软件，通过链接电脑可以非常方便地实现程序编辑以及数据记录。
技术规格：
- ***高温度：1200摄氏度；
- 升温速率：1~200摄氏度/秒；
- 降温速度：1~200摄氏度/分钟；
- 温控均匀性：&plu***n;1℃设定温度；
- 加热方式：红外卤素灯，顶部及底部区域加热；
- 灯管数量及功率：6支/20千瓦(RTP-50)，12支/33千瓦(RTP-100);
18支/34千瓦(RTP-200), 36支/108千瓦(RTP-300)；
- 腔体冷却：水冷方式；
- 衬底冷却：氮气吹扫；
- 工艺气路：MFC控制，***多4路 (氮气、***气、氧气、氢氮混合气等)；
应用领域：
- 离子注入/接触退火；
- 快速热处理(RTP)，快速退火(RTA)，快速热氧化(RTO)，快速热氮化(RTN)；
- 可在真空、惰性气氛、氧气、氢气、混合气等不同环境下使用；
- SiAu, SiAl, SiMo合金化；
- 低介电材料；
- 晶体化，致密化；
- 太阳能电池片键合；
快速退火炉JetStar
也可以用于污染物处理；
基片从上面载入/取出；
***大可支持的尺寸：直径为300mm的Wafer或者300mm×300mm的基片；
***高温度高达1000摄氏度；
升温速率为40K/sec；
降温速率分段控制：从1000℃到400℃，降温速率优于200K/sec。从400℃到100℃***大降温速率控制在30K/sec；