深圳市星际金华电子公司原装促销[STF100N10F7金属氧化物半导体场效应晶体管]优势大货源出售 质量保证 价格优惠 欢迎咨询
星际金华提供STF100N10F7金属氧化物半导体场效应晶体管 价优物原 实单可议价
产品规格：
FET 类型 N 沟道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 100V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 45A（Tc）
驱动电压（***大 *** On，***小 *** On） 10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（***大值） 4.5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（***大值） 61nC
电压，耦合至栅极电荷（Qg）（***大）@ Vgs 10V
Vgs（***大值） &plu***n;20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（***大值） 4369pF
电压，耦合至输入电容（Ciss）（***大） @ Vds 50V
FET 功能 -
功率耗散（***大值） 30W（Tc）
不同 Id，Vgs 时的 *** On（***大值） 8 毫欧 @ 22.5A，10V
工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型 通孔
供应商器件封装 TO-220FP
封装/外壳 TO-220-3 整包
下单前请先与***人员询问正确的价格，我们将竭诚为您服务。