技术参数：
基片尺寸：4英寸、6英寸；
加热温度：25℃~350℃；
温度均匀性：&plu***n;1℃；
前体温度范围：从室温至150℃，&plu***n;2℃；可选择加热套；
前驱体数：一次同时可处理多达 5 个 ALD 前体源；
PLC 控制系统：7英寸16 位彩色触摸屏HMI控制；
模拟压力控制器：用于快速压力检测和脉冲监测
样品上载：将样品夹具从边上拉出即可；
压力控制装置：压力控制范围从0.1~1.5Torr
两个氧化剂/还原剂源，如水，氧气或氨气；
在样品上没有大气污染物，因为在沉积区的附近或上游处无 Elestamor O 型圈出现;
氧化铝催化剂处理能力：6-10 次/分钟或高达 1.2 纳米/ 分钟（同类***佳）
高纵横比沉积，具有良好的共形性
***控制，用于在 3D 结构上实现所需的共形性；
预置有经验证过的 3D 和 2D 沉积的优化配方；
简单便捷的系统维护及安全联锁；
目前市面上占地***小，可兼容各类洁净室要求的系统；
可以为非标准样品而订制的夹具，如 SEM / TEM 短截线
原子层沉积ALD的应用包括：
1) High-K介电材料 (Al2O3, HfO2, ZrO2, PrAlO, Ta2O5, La2O3)；
2)导电门电极 (Ir, Pt, Ru, TiN)；
3)金属互联结构 (Cu, WN, TaN,Ru, Ir)；
4)催化材料 (Pt, Ir, Co, TiO2, V2O5)；
5)纳米结构 (All ALD Material)；
6)生物***涂层 (TiN, ZrN, TiAlN, AlTiN)；
7) ALD金属 (Ru, Pd, Ir, Pt, Rh, Co, Cu, Fe, Ni)；
8)压电层 (ZnO, AlN, ZnS)；
9)透明电学导体 (ZnO:Al, ITO);
10)紫外阻挡层 (ZnO, TiO2);
11) OLED钝化层 (Al2O3);
12)光子晶体 (ZnO, ZnS:Mn, TiO2, Ta3N5);
13)防反射滤光片 (Al2O3, ZnS, SnO2, Ta2O5)；
14)电致发光器件 (SrS:Cu, ZnS:Mn, ZnS:Tb, SrS:Ce);
15)工艺层如蚀刻栅栏、离子扩散栅栏等 (Al2O3, ZrO2);
16)光学应用如太阳能电池、激光器、光学涂层、纳米光子等 (AlTiO, SnO2, ZnO);
17)传感器 (SnO2, Ta2O5);
18)磨损润滑剂、腐蚀阻挡层 (Al2O3, ZrO2, WS2)；