深圳市星际金华电子公司为你提供IRFU12N25D/IRFZ44N金属氧化物场效应晶体管！！！
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规格参数值：
IRFU12N25D
FET 类型 N 沟道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 250V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 14A（Tc）
驱动电压（***大 *** On，***小 *** On） 10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（***大值） 5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（***大值）35nC
电压，耦合至栅极电荷（Qg）（***大）@ Vgs 10V
Vgs（***大值）&plu***n;30V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（***大值）810pF
电压，耦合至输入电容（Ciss）（***大） @ Vds 25V
FET 功能 -
功率耗散（***大值） 144W（Tc）
不同 Id，Vgs 时的 *** On（***大值）260 毫欧 @ 8.4A，10V
工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型 通孔
供应商器件封装IPAK（TO-251）
封装/外壳TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA
IRFZ44N：
FET 类型 N 沟道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 55V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 49A（Tc）
驱动电压（***大 *** On，***小 *** On） 10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（***大值） 4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（***大值）63nC
电压，耦合至栅极电荷（Qg）（***大）@ Vgs 10V
Vgs（***大值）&plu***n;20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（***大值）810pF
电压，耦合至输入电容（Ciss）（***大） @ Vds 25V
FET 功能 -
功率耗散（***大值） 94W（Tc）
不同 Id，Vgs 时的 *** On（***大值）17.5 毫欧 @ 25A，10V
工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型 通孔
供应商器件封装 TO-220AB
封装/外壳TO-220-3
如有需要可向***人员索取相关资料以及图片，有意者可以来电联系公司的工作人员，我们将竭诚为您服务。