星际金华供应上乘原装正品现货 SI7159DP/SI7374DP金属氧化物半导体场效应晶体管 价优物原 海量库存 质量保证 欢迎选购 实单有接受价可直说
产品规格参数值：
SI7159DP
FET 类型 P 沟道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 30V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 30A（Tc）
驱动电压（***大 *** On，***小 *** On） 4.5V，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（***大值） 2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（***大值） 180nC @ 10V
Vgs（***大值） &plu***n;25V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（***大值） 5170pF @ 15V
FET 功能 -
功率耗散（***大值） 5.4W（Ta），83W（Tc）
不同 Id，Vgs 时的 *** On（***大值） 7 毫欧 @ 15A，10V
工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型 表面贴装
供应商器件封装 PowerPAK® SO-8
封装/外壳 PowerPAK® SO-8
SI7374DP：
FET 类型 N 沟道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 30V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 24A（Tc）
驱动电压（***大 *** On，***小 *** On） 4.5V，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（***大值） 2.8V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（***大值） 122nC @ 10V
Vgs（***大值）&plu***n;20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（***大值） 5500pF @ 15V
FET 功能 -
功率耗散（***大值） 5W（Ta），56W（Tc）
不同 Id，Vgs 时的 *** On（***大值）5.5 毫欧 @ 23.8A，10V
工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型 表面贴装
供应商器件封装PowerPAK® SO-8
封装/外壳PowerPAK® SO-8
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