IRF135S203分立半导体产品
规格：
| FET 类型 | N 沟道 |
|---|---|
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 135V |
| 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） | 129A（Tc） |
| 驱动电压（***大 *** On，***小 *** On） | 10V |
| 不同 Id，Vgs 时的 *** On（***大值） | 8.4 毫欧 @ 77A，10V |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（***大值） | 4V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（***大值） | 270nC @ 10V |
| Vgs（***大值） | &plu***n;20V |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（***大值） | 9700pF @ 50V |
| FET 功能 | - |
| 功率耗散（***大值） | 441W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 供应商器件封装 | D²PAK（TO-263AB） |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB |
明佳达电子供应IRF135S203分立半导体RTL8211FS，大量库存现货，接受实单议价，对产品有需求的商友欢迎致电与我们联系。