片状多层陶瓷电容现在是电子电路常用的元件之一，其表面看来，非常简单，片状多层陶瓷电容直在小型化的方向进展，在小型化的电子产品，比如手机、数码产品等，这些产品成为片状多层陶瓷电容小型化的主要推动力。
片状多层陶瓷电容除有电容器“隔直通交”的通性特点外，其还有体积小，比容大，寿命长，可靠性高，适合表面安装等特点，随着片状多层陶瓷电容可靠性和集成度的提高，其使用的范围越来越广，广泛地应用于电脑、电话、程控交换机的测试仪器。
东莞市纳仕特电子科技有限公司成立于2006年，是集研发，生产，销售为一体的电容器生产厂商，目前主要产品为薄膜电容，陶瓷电容及电解电容，经过多年的努力与发展，已成为规格齐全、品质可靠、技术***的规模性企业。
陶瓷电容器不仅可以耐高温、耐腐蚀，片状陶瓷电容器加工厂，而且有较高的介电常数，这对当前集成电路对电容器小型化、高容量的要求是很适宜的，下面东莞市纳仕特电子科技有限公司来给大家讲述一下陶瓷电容器的介质损耗组成部分。
1、玻璃相中的电导损耗这部分损耗主要是由玻璃中的离子引起的电导损耗；
2、晶相中的损耗它主要是由于晶界附近的晶格容易产生畸变和晶格问题，因而产生弱联系离子造成松池损耗；
3、结构不均匀性导致的附加夹层损耗，要降低电容器的介质损耗，主要是减小弱联系离子和弱束缚电子。
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陶瓷电容器用高介电常数的电容器陶瓷挤压成圆管、圆片或圆盘作为介质，并用烧渗法将银镀在陶瓷上作为电极制成，它又分高频瓷介和低频瓷介两种，具有小的正电容温度系数的电容器，用于高稳定振荡回路中，作为回路电容器及垫整电容器，那么低频瓷介电容器和高频瓷介电容器有什么区别呢？东莞市纳仕特电子科技有限公司来告诉您。
低频瓷介电容器限于在工作频率较低的回路中作旁路或隔直流用，或对稳定性和损耗要求不高的场合，这种电容器不宜使用在脉冲电路中，因为它们易于被脉冲电压击穿，蓝***状陶瓷电容器，高频瓷介电容器由一种浓度适于喷涂的特殊混合物喷涂成薄膜而成，介质再以银层电极经烧结而成“独石”结构，高频瓷介电容器适用于高频电路云母电容器。
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