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据李健介绍，硅基MOSFET是华虹宏力功率器件工艺的基础。通过不断缩小间距、提升元胞密度、降低导通电阻，华虹宏力用持续***的优异品质，以及稳定的良率赢得广大客户的赞誉。值得一提的是，在可靠性要求极为严格的汽车领域，华虹宏力MOSFET产品已配合客户完成核心关键部件如汽车油泵、转向助力系统等的应用，为业界***。
深沟槽超级结MOSFET(DT-SJ)是中流砥柱。超级结MOSFET适用于500V到900V电压段，其电阻更小、效率更高、散热相对低，在要求严苛的开关电源等产品中有大量应用。深沟槽型超级结MOSFET是华虹宏力自主开发、拥有完全知识产权的创“芯”技术，相关专利超过20项。其第三代深沟槽超级结工艺流程紧凑且成功开发沟槽栅的新型结构，有效降低结电阻，进一步缩小了元胞面积，技术参数达业界***水平，可提供导通电阻更低、芯片面积更小、开关速度更快和开关损耗更低的产品解决方案。为了持续为客户创造更多价值，华虹宏力的深沟槽超级结MOSFET工艺不断升级，每次单位面积导通电阻的技术特性优化都在25%以上。
硅基IGBT芯片是未来。IGBT是电动汽车核“芯”中的核心，对晶圆制造的能力和经验要求非常高，其难点和性能优势主要在于背面加工工艺。目前国内能加工IGBT的产线都比较少，不管是6英寸线还是8英寸线。华虹宏力是国内为数不多可用8英寸晶圆产线为客户提供高品质代工服务的厂商之一，拥有背面薄片、背面高能离子注入、背面激光退火以及背面金属化等一整套完整的FSIGBT的背面加工处理能力，可助力客户产品比肩业界主流的国际IDM产品，在市场竞争中取得更大优势。
SiC和GaN等宽禁带材料自身优势非常明显，未来10到15年的市场空间很大。细分来看，SiC的市场应用前景明确，而GaN瞄准的无人驾驶LiDAR等创新型应用仍存在变数;从技术成熟度来讲，SiC二级管技术已成熟，MOS管也已小批量供货，而GaN来说，SiC基GaN相对成熟但成本高，Si基GaN则仍不够成熟;从性价比来讲，SiC量产后有望快速拉低成本，而GaN的新型应用如不能如期上量，成本下降会比较缓慢;不过Si基GaN***大的优势在于可以和传统CMOS产线兼容，而SiC则做不到这点。华虹宏力将保持对宽禁带材料的密切关注，以期适时切入，为客户提供更高附加值的相应服务。