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我国光电子芯片，已在豫北小城鹤壁获得突破。其中的PLC光分路器芯片早在2012年就实现国产化，迫使国外芯片在中国市场的价格从每晶圆***高时2400多美元降到100多美元。目前已占***市场50％以上份额。
更了不起的是，他们研发的阵列波导光栅（AWG）芯片，在骨干网、高速数据中心及5G***前传等领域获重大突破，其中，骨干网AWG进入相关领域知名国际设备商供应链，高速数据中心及5G应用技术有望在国际竞争中领跑。近日，他们已在5G前传循环型波分复用、解复用芯片核心技术方面，开始实验验证工作。
攻克光电子芯片三大壁垒
5月17日，科技日报记者前往鹤壁采访。在仕佳光子展厅里，吴远大介绍，在目前世界上100多类***光电子芯片中，国内有两大类全系列化芯片技术基本实现国产化。一类是主要应用于光纤到户接入网中的PLC光分路器芯片，另一类是主要应用于骨干网、城域网、高速数据中心和5G领域的阵列波导光栅芯片。“这两类芯片，都是我们公司研发的。”吴远大说。
今年45岁的吴远大，是***半导体研究所研究员，主要致力于高性能无源光电子材料与器件的应用基础研究，同步开展PLC光分路器芯片及阵列波导光栅芯片的产业化技术开发工作。2011年，作为我国光电子事业主要开拓者王启明院士团队的一员，他与所里的6个年轻人一起，来到鹤壁担任河南仕佳光子科技股份有限公司***副总裁，开展院企合作，开启我国***光电子芯片的产业化之路。
吴远大说，在***863计划、973计划项目资助下，中科院半导体所对这些芯片已经开展了十多年的基础研究，但由于三方面原因，此前一直没有产业化。
一是高质量的高折射率差硅基SiOx集成光波导材料基础薄弱。微电子技术中二氧化硅薄膜材料的厚度，一般仅为几百纳米；而平面集成光波导芯片中，则要求二氧化硅膜的厚度高达几个微米，甚至几十个微米，要求无龟裂、无缺陷，且更偏重二氧化硅材料的光传输性质。国外生长硅基SiOx集成光波导材料的方式主要有两种：以欧美为代表的化学气相沉积法（PECVD），以日本、韩国为代表的火焰水解法（FHD）。PECVD法精度较高，操控性好；FHD法生长速率快，产业化效率更高，二者各有优缺点。而国内缺乏相关应用基础研究。
二是芯片工艺水平达不到芯片产业化需求，特别是在整张晶圆的均匀性、稳定性方面，如二氧化硅厚膜的高深宽比和低损耗刻蚀工艺。
三是在产业和市场导向上，过去偏重于买，拿市场换技术。