供应30V 5.8A SOT23 贴片MOS管HN3400，原装***，库存现货。
HN3400,HN3400B可以替代型号：AO3400，A03400，AP2306AGN，AP2338GN，AP2316GN，AP2326GN，CJK3400A，CJ2306，CJ3400，，CJ3404，CJ3434，Si2338DS，Si2372DS，Si2366DS，Si2336DS。
HN3400： 30V 5.8A SOT23 N沟道 MOS管/场效应管
HN3400为低压MOS:30V，N沟道，大电流，小封装MOS，HN3400实际电压可以达到30V，可以满足LED电源，充电器，小家电等需要低压，大电流，小封装的要求，
HN3400产品质量稳定，广泛运用于LED电源，充电器，小家电，游戏机，电源，混色LED灯等电子产品
品牌：HN
型号：HN3400,HN3400B
VDS： 30V
IDS： 5.8A
封装： SOT-23
沟道：N沟道
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1、绝缘栅场效应管（MOS管）的分类：绝缘栅场效应管也有两种结构形式，它们是N沟道型和P沟道型。无论是什么沟道，它们又分为增强型和耗尽型两种。
2、它是由金属、氧化物和半导体所组成，所以又称为金属—氧化物—半导体场效应管，简称MOS场效应管。
3、绝缘栅型场效应管的工作原理(以N沟道增强型MOS场效应管为例)它是利用UGS来控制“感应电荷”的多少，以改变由这些“感应电荷”形成的导电沟道的状况，然后达到控制漏极电流的目的。在制造管子时，通过工艺使绝缘层中出现大量正离子，故在交界面的另一侧能感应出较多的负电荷，这些负电荷把高渗杂质的N区接通，形成了导电沟道，即使在VGS=0时也有较大的漏极电流ID。当栅极电压改变时，沟道内被感应的电荷量也改变，导电沟道的宽窄也随之而变，因而漏极电流ID随着栅极电压的变化而变化。
场效应管的工作方式有两种：当栅压为零时有较大漏极电流的称为耗尽型；当栅压为零，漏极电流也为零，必须再加一定的栅压之后才有漏极电流的称为增强型。