





半导体化合物材料
我们可提供半导体行业所需常用氧化物,硒化物,锑化物,高纯钼,硫化物,碲化物等。
氧化物:氧化锌 氧化铟 氧化铋 氧化碲
硫化物:硫化锌 硫化钨 硫化钼 硫化锡 硫化锑 硫化锗 硫化银
硒化物:硒化锌 硒化铋 硒化锗 硒化镉 硒化锑 硒化锡 硒化铟 硒化钨
锑化物:锑化铋 锑化锡 锑化铟
碲化物:碲化铜(CuTe) 碲化铟 InTe 碲化锌(ZnTe) 三碲化二铋(Bi2Te3),二氧化碲(TeO2). 碲化锑 碲化锌 碲化锗
多元化合物:铜铟硒 铜锌锡硫 锗锑碲
纯度:99.99-99.9999
状态:粉末 颗粒
可根据需求,定制不同比例的靶材
中诺新材拥有真空感应熔炼炉、悬浮熔炼炉等多种***生产设备,可提供各种常规高纯金属及合金。我公司采用***的锻造及热处理工艺,实现对靶材晶粒度的控制,并通过精密的机械加工工艺,制备出纯度高、晶粒细小、***均匀的高品质靶材。
常规产品如下:
商品名称纯度(%)常规尺寸
高纯铝 靶材99.999 99.9995
高纯钛 靶材99.995
高纯钴 靶材99.95
高纯铁 靶材99.95 99.99
高纯铟 靶材99.995
高纯锡 靶材99.99
高纯锆 靶材99.5 99.9
高纯铪 靶材99.95
高纯钒 靶材99.95
常规现货靶材尺寸:φ50.8mm, φ60mm, φ101.6mm
靶材常规厚度2-6mm 可定制加工不同尺寸的圆靶、方靶
中诺新材可根据您的需求,高纯钼块 现货供应,为您定制不同化合物,高纯钼靶材 钼合金靶材供应,不同比例的掺杂靶材。通过球磨制粉,共沉积制粉,真空热压烧结,高纯钼靶材 定制,常压烧结等工艺,可保证靶材掺杂比例准确,掺杂相单一,致密度高。
部分定制靶材如下:
氧化铟锡 ITOIn2O3:SnO2=90:10 wt%
氧化锌铝 AZOZnO:Al2O3=98:2 wt%
铜铟硒 CIGSCu:In:Ga:Se=1:0.7:0.3:2 at%
氧化锌掺杂氧化镁等
氧化铟锌 IGZOIn:Ga:Zn=2:2:1 at%
钛锆酸铅 PZT Pb1.2Zr0.52Ti0.48O3
锗锑碲 GSTGe:Sb:Te=2:2:5 at%
高纯钼-中诺新材-高纯钼靶材 定制由中诺新材(北京)科技有限公司提供。“蒸发镀膜材料,高纯有色金属,高纯金属材料,金属材料”就选中诺新材(北京)科技有限公司(),公司位于:北京市海淀区上地东路25号3层8单元319,多年来,中诺新材坚持为客户提供好的服务,联系人:赵艳。欢迎广大新老客户来电,来函,亲临指导,洽谈业务。中诺新材期待成为您的长期合作伙伴!