光刻胶-光刻胶NR9-3000P-赛米莱德(优质商家)

芯片光刻的流程详解（一）

在集成电路的制造过程中，有一个重要的环节——光刻，光刻胶NR9-3000P，正因为有了它，我们才能在微小的芯片上实现功能。现代刻划技术可以追溯到190年以前，1822年法国人Nicephore niepce在各种材料光照实验以后，开始试图复一种刻蚀在油纸上的印痕（图案)，他将油纸放在一块玻璃片上，玻片上涂有溶解在植物油中的沥青。经过2、3小时的日晒，透光部分的沥青明显变硬，光刻胶NR9-6000P，而不透光部分沥青依然软并可被松香和植物油的混合液洗掉。通过用强酸刻蚀玻璃板，Niepce在1827年制作了一个d’Amboise主教的雕板相的产品。

Niepce的发明100多年后，即第二次***期间才应用于制作印刷电路板，即在塑料板上制作铜线路。到1961年光刻法被用于在Si上制作大量的微小晶体管，当时分辨率5um，光刻胶NR9-3000PY，如今除可见光光刻之外，更出现了X-ray和荷电粒子刻划等更高分辨率方法。

品牌

产地

型号

厚度

***

应用

加工

特性

Futurrex

美国

NR71-1000PY

0.7μm~2.1μm

高温耐受

用于i线***的负胶

LEDOLED、

显示器、

MEMS、

封装、

生物芯片等

金属和介电

质上图案化，光刻胶，

不必使用RIE

加工器件的永

组成

（OLED显示

器上的间隔

区）凸点、

互连、空中

连接微通道

显影时形成光刻胶倒

梯形结构

厚度范围：

0.5～20.0 μm

i、g和h线***波长

***

对生产效率的影响：

金属和介电质图案化

时省去干法刻蚀加工

不需要双层胶技术

NR71-1500PY

1.3μm~3.1μm

NR71-3000PY

2.8μm～6.3μm

NR71-6000PY

5.7μm~12.2μm

NR9-100PY

0.7μm~2.1μm

粘度增强

NR9-1500PY

1.3μm~3.1μm

NR9-3000PY

2.8μm~6.3μm

NR9-6000PY

5.7μm~12.2μm

NR71G-1000PY

0.7μm~2.1μm

高温耐受

负胶对 g、h线波长的灵敏度

NR71G-1500PY

1.3μm~3.1μm

NR71G-3000PY

2.8μm~6.3μm

NR71G-6000PY

5.7μm~12.2μm

NR9G-100PY

0.7μm～2.1μm

粘度增强

NR9G-1500PY

1.3μm～3.1μm

NR9G-3000PY

2.8μm～6.3μm

NR9G-6000PY

5.7μm~12.2μm

品牌

产地

型号

厚度

耐热温度

应用

Futurrex

美国

PR1-500A

0.4μm～0.9μm

4，***

前烘好的存底放在光刻胶衬底放在光刻机上，经与光刻版对准后，进行***，接受光照的光刻胶发生化学变化，形成潜影，

光源与光刻胶相匹配，也就是光源波长在光刻胶的敏感波段；

对准：指光刻板上与衬底的对版标记应准确对准，这样一套光刻版各版之间的图形才能彼此套准。

***时间，由光源强度，光刻胶种类，厚度等决定，

另外，为降低驻波效应影响，可在***后需进行烘焙，称为光后烘焙（PEB）