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IPA60R190P6场效应管
规格：
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 600V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 20.2A（Tc）
驱动电压（***大 *** On，***小 *** On） 10V
不同 Id，Vgs 时的 *** On（***大值） 190 毫欧 @ 7.6A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（***大值） 4.5V @ 630µ
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（***大值） 37nC @ 10V
Vgs（***大值） &plu***n;20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（***大值） 1750pF @ 100V
FET 功能 -
功率耗散（***大值） 34W（Tc）
工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型 通孔
供应商器件封装 PG-TO220-FP
封装/外壳 TO-220-3 整包
IPA60R190E6 N沟道场效应管
规格：
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 600V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 20.2A（Tc）
驱动电压（***大 *** On，***小 *** On） 10V
不同 Id，Vgs 时的 *** On（***大值） 190 毫欧 @ 9.5A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（***大值） 3.5V @ 630µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（***大值） 63nC @ 10V
Vgs（***大值） &plu***n;20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（***大值） 1400pF @ 100V
FET 功能 -
功率耗散（***大值） 34W（Tc）
工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型 通孔
供应商器件封装 PG-TO220-FP
封装/外壳 TO-220-3 整包