APD门模式的单光子探测器的性能分析
以InGaAsP/InP雪崩光电二极管(APD)为核心器件的红外单光子探测技术，在量子信息技术领域的广泛应用，使其成为近年的研究热点。根据InGaAsP/InPAPD在红外通信波段实现单光子探测的要求和特点，通过APD的门控电路和实验结果分析，探讨了门模式下各种参数与暗计数率、量子效率、量子误码率、信号传输速率之间的关系，为门模参数的选择提供依据。结果表明:偏置电压的大小、门脉冲宽度和周期的选择，对提高探测器性能起着关键的作用。
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单光子计数器——光子计数方法
具有的优点如下：
1.信噪比和测量精度高。在极弱辐射测量时，比电荷积分法高5~10倍，可以区分信号强度的微小差别。
2.可以探测极低的辐射通量。
3.动态范围宽，可达1000000。
4.可以方便地用二次测量之差方法扣除本底计数。
5.好。在直流测量方法中，小电流放大器的零点漂移、管子增益及暗电流漂移等均难解决，而在光子计数测量系统中，SPCM-L单光子计数器厂家，放大倍数变化对于计数影响不大，所以有很好的事件稳定性。
6.消除了漏电流的影响。
7.便于数据处理。测量结果是脉冲数目，可以不经过模拟数字变换，SPCM-L单光子计数器厂家，直接输出到计算机进行分析处理或数显。
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光电探测器的历史发展
1873年，英国发现硒的光电导效应，但是这种效应长期处于探索研究阶段，未获实际应用。随着半导体的发展，各种新的光电导材料不断出现。在可见光波段方面，到50年代中期，SPCM-L单光子计数器厂家，性能良好的硒化镉光敏电阻和红外波段光电探测器都已投入使用。60年代初，中远红外波段灵敏的Ge、Si掺杂光电导探测器研制成功，典型的例子是工作在3～5微米和8～14微米波段的Ge:Au（锗掺金）和Ge:Hg光电导探测器。60年代末以后，HgCdTe、PbSnTe等可变禁带宽度的三元系材料的研究取得进展。 工作原理和特性 光电导效应是内光电效应的一种。
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