





离子属刻蚀机的注意事项
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#.在设备工作时,禁止扶、靠设备,禁止触摸高频电缆和线圈,以免发生意外
#.高频电源实际使用功率不能超过较大限制#.检查设备时,必须关机后切断电源
#. 工作场地必须保持清洁、干燥,设备上及设备周围不得放置无关物品,特别是易1燃、易1爆物品
#.长期停放时注意防潮,拆除电源进线,每隔3-5天开一次机,保证反应室真空以免被污 染
#.设备停机、过夜也要保持反应室真空,轰击离子束刻蚀机原理,如停机较长时间后再进行刻蚀工艺,需***行一次空载刻蚀,再刻蚀硅片


刻蚀机
刻蚀精度主要是用保真度、选择比、均匀性等参数来衡量。所谓保真度度,就是要求把光刻胶的图形转移到其下的薄膜上,轰击离子束刻蚀机供应商,即希望只刻蚀所要刻蚀的薄膜,而对其上的掩膜和其下的衬底没有刻蚀。事实上,以上三个部分都会被刻蚀,只是刻蚀速率不同。选择比就是用来衡量这一指标的参数。S=V/U(V为对薄膜的刻蚀速率,U为对掩膜或衬底的刻蚀速率),S越大则选择比越好。由于跨越整个硅片的薄膜厚度和刻蚀速率不尽相同,从而也导致图形转移的不均匀,轰击离子束刻蚀机,等离子刻蚀机尤其是中心和边缘相差较大。因而均匀性成为衡量这一指标的重要参数。除以上参数外,刻蚀速率也是一个重要指标,它用来衡量硅片的产出速度,刻蚀速率越快,则产出率越高。
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刻蚀技术
由于***束不同,刻蚀技术可以分为光刻蚀(简称光刻)、X射线刻蚀、电子束刻蚀和离子束刻蚀,轰击离子束刻蚀机工作原理,其中离子束刻蚀具有分辨率高和感光速度快的优点,是正在开发中的新型技术。
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