聚焦离子束刻蚀机生产厂家-聚焦离子束刻蚀机-创世威纳科技

反应离子刻蚀的操作方法

通过向晶片盘片施加强RF（射频）电磁场，在系统中启动等离子体。该场通常设定为13.56兆赫兹的频率，施加在几百瓦特。振荡电场通过剥离电子来电离气体分子，从而产生等离子体 [3] 。在场的每个循环中，电子在室中上下电加速，聚焦离子束刻蚀机原理，有时撞击室的上壁和晶片盘。同时，响应于RF电场，更大质量的离子移动相对较少。当电子被吸收到腔室壁中时，它们被简单地送到地面并且不会改变系统的电子状态。然而，聚焦离子束刻蚀机，沉积在晶片盘片上的电子由于其DC隔离而导致盘片积聚电荷。这种电荷积聚在盘片上产生大的负电压，通常约为几百伏。由于与自由电子相比较高的正离子浓度，等离子体本身产生略微正电荷。由于大的电压差，正离子倾向于朝向晶片盘漂移，在晶片盘中它们与待蚀刻的样品碰撞。离子与样品表面上的材料发生化学反应，但也可以通过转移一些动能来敲除（溅射）某些材料。由于反应离子的大部分垂直传递，反应离子蚀刻可以产生非常各向异性的蚀刻轮廓，这与湿化学蚀刻的典型各向同性轮廓形成对比。RIE系统中的蚀刻条件很大程度上取决于许多工艺参数，例如压力，气体流量和RF功率。 RIE的改进版本是深反应离子蚀刻，用于挖掘深部特征。

反应离子刻蚀的工作原理

通常情况下，反应离子刻蚀机的整个真空壁接地， 作为阳极， 阴极是功率电极， 阴极侧面的接地屏蔽罩可防止功率电极受到溅射。要腐蚀的基片放在功率电极上。腐蚀气体按照一定的工作压力和搭配比例充满整个反应室。对反应腔中的腐蚀气体， 加上大于气体击穿临界值的高频电场， 在强电场作用下， 被高频电场加速的杂散电子与气体分子或原子进行随机碰撞， 当电子能量大到一定程度时， 随机碰撞变为非弹性碰撞， 产生二次电子发射， 它们又进一步与气体分子碰撞， 不断激发或电离气体分子。这种激烈碰撞引起电离和复合。当电子的产生和消失过程达到平衡时， 放电能继续不断地维持下去。由非弹性碰撞产生的离子、电子及及游离基(游离态的原子、分子或原子团) 也称为等离子体， 具有很强的化学活性， 可与被刻蚀样品表面的原子起化学反应， 形成挥发性物质， 达到腐蚀样品表层的目的。同时， 由于阴极附近的电场方向垂直于阴极表面， 高能离子在一定的工作压力下，聚焦离子束刻蚀机报价， 垂直地射向样品表面， 进行物理轰击，聚焦离子束刻蚀机生产厂家， 使得反应离子刻蚀具有很好的各向异性 。

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离子属刻蚀机的注意事项

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#.在设备工作时，禁止扶、靠设备，禁止触摸高频电缆和线圈，以免发生意外

#.高频电源实际使用功率不能超过较大限制#.检查设备时，必须关机后切断电源

#. 工作场地必须保持清洁、干燥，设备上及设备周围不得放置无关物品，特别是易1燃、易1爆物品

#.长期停放时注意防潮，拆除电源进线，每隔3-5天开一次机，保证反应室真空以免被污 染

#.设备停机、过夜也要保持反应室真空，如停机较长时间后再进行刻蚀工艺，需***行一次空载刻蚀，再刻蚀硅片