




种子是慢慢浮出熔化物的,种子和熔化物间的表面张力在子晶表面上形成一层薄的硅膜,然后冷却。由于电容不可能长期保持电荷不变,必须定时对动态存储电路的各存储单元执行重读操作,以保持电荷稳定,这个过程称为动态存储器刷新。冷却时,已熔化硅中的原子会按照子晶的晶体结构自我定向。硅锭完全长大时,它的初始直径要比终晶圆片要求的直径大一点。
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来自斯坦福的研究团队在旧金山举行的一次科技会议上展示了这个电路。他们展示的技术进步是迄今证明当硅芯片尺寸达到物理极,碳纳米管可能会成为一种未来的替代材料。
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