来自斯坦福的研究团队在旧金山举行的一次科技会议上展示了这个电路。他们展示的技术进步是迄今证明当硅芯片尺寸达到物理极，碳纳米管可能会成为一种未来的替代材料。
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硅锭生长需要大块的纯净多晶硅，将这些块状物连同少量的特殊III、V族元素放置在石英坩埚中，这称为掺杂。加入的掺杂剂使那些长大的硅锭表现出所需要的电特性。普通的掺杂剂是硼、磷、***和锑。由于硅很硬，要用金刚石锯来准确切割晶圆片，以得到比要求尺寸要厚一些的晶片。因使用的掺杂剂不同，旧太阳能发电板回收公司，会成为一个P型或N型的硅锭（P型/硼，N型/磷、锑、***）。
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然后将这些物质加热到硅的熔点——摄氏1420度之上。一旦多晶硅和掺杂剂混合物熔解，便将单晶硅种子放在熔解物的上面，只接触表面。种子与要求的成品硅锭有相同的晶向。为了使掺杂均匀，子晶和用来熔化硅的坩埚要以相反的方向旋转。
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