离子刻蚀设备在光刻胶涂层和光刻显影后，将光刻胶用作掩模，通过物理溅射和化学作用去除不需要的金属，从而得到与光刻胶图案相同的线条形状。目前，等离子刻蚀设备是主流的干法刻蚀方法，硅片刻蚀设备，由于刻蚀速度快、定向性好，硅片酸洗台，正在逐步取代湿法刻蚀。影响氮化硅侧壁刻蚀角度的参数：在半导体集成电路中，真空等离子刻蚀设备的刻蚀工艺不仅可以刻蚀表面层的光刻胶，还可以刻蚀下层的氮化硅层。
利用强腐蚀性的强酸蚀刻掉不需要的部份，硅片，剩余的部份即为常见的蚀刻片产品。它的细部表现功夫凌驾于现有的各种模型材料之上，只要掌握制作技巧并辅助使用于模型上，相信可令您的作品精细度巨增。但因其硬度高，所以在切割及加工时较麻烦，而且无法用一般的烙铁来焊接组合。铜的外观不及不锈钢的亮丽，硅片清洗，但硬度低，很容易加工，可以用一般的烙铁来焊接组合。
半导体晶圆制造设备可以分为刻蚀、薄膜沉积、光刻、检测、离子注入、热处理等品类，其中刻蚀设备、薄膜沉积设备、光刻设备是集成电路前道生产工艺中的三类设备。根据Gartner统计，2021年刻蚀设备、薄膜沉积和光刻设备分别占晶圆制造设备价值量约21.59%、19.19%和18.52%。刻蚀设备已经成为半导体晶圆制造中的关键设备，在半导体制造中的重要性凸显。
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