浙江真空镀膜-真空镀膜平台-半导体研究所(推荐商家)

低压气相沉积真空镀膜加工厂——广东省科学院半导体研究所是广东省科学院下属骨干研究院所之一，主要聚焦半导体产业发展的应用技术研究，真空镀膜平台，兼顾重大技术应用的基础研究，立足于广东省经济社会发展的实际需要，从事电子信息、半导体领域应用基础性、关键共性技术研究，真空镀膜厂商，以及行业应用技术开发。

 PECVD主要由工艺管及电阻加热炉、净化推舟系统、气路系统、电气控制系统、计算机控制系统、真空系统6大部分组成。PECVD的主要性能指标，PECVD设备的主要特点，该设备成膜种类为氮化硅，这种PECVD成膜均匀性好、稳定性高。每片硅片间不均匀性误差在5%之内，浙江真空镀膜，同一批硅片间的误差在6%之内，不同批次硅片间误差在7%之内。温度要求比较低，成膜温度为150℃～500℃，恒温区温度均匀，误差范围在2℃之内，并且在整个成膜过程中随时间变化小，误差范围为2℃/24h之内。升温时间较短，工作压力范围广，***真空时间短，设备封闭性强并且具有温度控制和计算机自动监控等安全措施功能。除此之外，PECVD与一般CVD相比有更多的优点。

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 PECVD作为太阳电池生产线上的关键设备之一，其市场需求相当大，所以PECVD技术在70年代以来已成为研究的热点，并将不断成长为一项成熟的技术。PECVD与一般的CVD方法相比既有相同之处，真空镀膜加工，又有它独i特的优势。以下将详细介绍PECVD装置的原理、特点、结构参数、性能指标、操作规范和***维修等。目前太阳能光伏市场上用的PECVD设备，国外的主要有德国centrotherm和日本岛津的镀膜设备;国内的主要有生产型管式PECVD，接下来就该管式PECVD的工作原理、结构性能参数、操作调试过程和维护***工作做一个详尽的介绍。

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 为尽量减小真空镀膜机真空室形变带来的影响，我们将导轨、丝杆等传动件固定于一个刚性的中间层上，其与真空室底壁之间采用点、线、面活性支撑，以吸收和隔离形变，并设置形变补偿调节机构，在系统抽真，参照有限元计算提供的理论数据预设适当的补偿量，以使其在真空状态下达到平衡。为了验证有限元计算的结果，对真空室的形变和补偿进行了测试。一步，将四只千分表***在工作台安装基点的真空壁外侧，当真空室由大气抽到真空时，记录各千分表的变化量，经归i一化处理后为用激光自准直仪调整i形变补偿。

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