3.1 恒流工作模式控制电路
典型的MOSFET有3个工作区，即截止区、线性区和饱和区。当MOSFET工作于线性区时，通过控制其栅源极之间电压VGS可实现对其流过电流Id的控制，终控制其等效阻抗，从而对电源的输出性能测试。其子控制电路如图2所示，选用低温漂采样电阻采集电流信号，电子回收公司，再将该电流信号差分放大接入运放U1A 反向输入端，U1A将电流信号和同向输入端的控制信号作比较运算，电子料回收，控制MOSFET栅极电压，实现对MOSFET等效阻抗的控制。
5 测试结果与分析
为验证光伏组件户外测试平台性能，利用4块亿晶公司生产的EG50W 组件，组成2×2阵列，无锡电子，代替目前市场上常见的200W 组件。于2013年3月19日进行了实验，天气为阴天，太阳辐照度在200W/m2 附近波动，组件温度约19℃，户外测试平台每隔5s对光伏组件进行1次IV特性曲线扫描。为便于和传统IV 曲线扫描方法对照，依次控制本户外测试平台的可编程电子负载工作于传统的恒流模式、恒压模式和本文提出的可自动切换工作模式下，采用3种方法分别对光伏组件的IV 特性曲线扫描。
芯片的背部减薄制程
磊晶之后的蓝宝石基板就成为了外延片，外延片在经过蚀刻、蒸镀、电极制作、保护层制作等一系列复杂的半导体制程之后，还需要切割成一粒粒的芯片，根据芯片的大小，一片2英寸的外延片可以切割成为数千至上万个CHIP。前文讲到此时外延片的厚度在430um附近，由于蓝宝石的硬度以及脆性，普通切割工艺难以对其进行加工。目前普遍的工艺是将外延片从430um减薄至100um附近，然后再使用镭射进行切割。
