微纳光刻加工厂——广东省科学院半导体研究所是广东省科学院下属骨干研究院所之一，主要聚焦半导体产业发展的应用技术研究，兼顾重大技术应用的基础研究，立足于广东省经济社会发展的实际需要，从事电子信息、半导体领域应用基础性、关键共性技术研究，以及行业应用技术开发。
光刻胶又称光致抗蚀剂，是一种对光敏感的混合液体。
光刻涂胶四周呈现放i射性条纹，主要可能的原因是光刻胶有颗粒、衬底未清洗干净，表面有颗粒、滴胶后精致时间过长，上海光刻，部分光刻胶固话，MEMS光刻，解决的方法主要有更换光刻胶，图形光刻，使用新的光刻胶涂胶来测试一下、将衬底再清洗一次再涂胶、滴胶后马上旋涂，以免光刻胶有所固化
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光刻胶的国产化***正在各方面展开，在面板屏显光刻胶领域，中国已经出现了一批有竞争力的本土企业。
光刻胶按应用领域分类，可分为PCB光刻胶、显示面板光刻胶、半导体光刻胶及其他光刻胶。全i球市场上不同种类光刻胶的市场结构较为均衡。智研咨询的数据还显示，受益于半导体、显示面板、PCB产业东移的趋势，自2011年至今，光刻胶中国本土供应规模年华增长率达到11%，高于全i球平均5%的增速。2019年中国光刻胶市场本土企业销售规模约70亿元，全i球占比约10%，发展空间巨大。目前，中国本土光刻胶以PCB用光刻胶为主，激光器光刻，平板显示、半导体用光刻胶供应量占比极低。
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每颗芯片诞生之初，都要经过光刻机的雕刻，精度要达到头发丝的千分之一。
整个光刻显影过程中，TMAH没有同PHS发生反应。负性光刻胶的显影液。二甲i苯。清洗液为乙i酸丁脂或乙醇、三氯乙i烯。显影中的常见问题：
a、显影不完全（IncompleteDevelopment）。表面还残留有光刻胶。显影液不足造成；
b、显影不够（UnderDevelopment）。显影的侧壁不垂直，由显影时间不足造成；
c、过度显影（OverDevelopment）。靠近表面的光刻胶被显影液过度溶解，形成台阶。显影时间太长。硬烘方法：热板，100～130C（略高于玻璃化温度Tg），1～2分钟。目的：完全蒸发掉光刻胶里面的溶剂（以免在污染后续的离子注入环境，例如DNQ酚醛树脂光刻胶中的氮会引起光刻胶局部爆裂）；
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