低压气相沉积真空镀膜加工厂——广东省科学院半导体研究所是广东省科学院下属骨干研究院所之一，主要聚焦半导体产业发展的应用技术研究，兼顾重大技术应用的基础研究，立足于广东省经济社会发展的实际需要，从事电子信息、半导体领域应用基础性、关键共性技术研究，以及行业应用技术开发。
PECVD：是借助微波或射频等使含有薄膜成分原子的气体电离，在局部形成等离子体，而等离子体化学活性很强，很容易发生反应，在基片上沉积出所期望的薄膜。为了使化学反应能在较低的温度下进行，利用了等离子体的活性来促进反应，生物芯片真空镀膜，因而这种CVD称为等离子体增强化学气相沉积(PECVD).实验机理：是借助微波或射频等使含有薄膜组成原子的气体，在局部形成等离子体，而等离子体化学活性很强，很容易发生反应，在基片上沉积出所期望的薄膜。基本温度低；沉积速率快；成膜质量好，针i孔较少，金属真空镀膜，不易龟裂。
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为尽量减小真空镀膜机真空室形变带来的影响，我们将导轨、丝杆等传动件固定于一个刚性的中间层上，其与真空室底壁之间采用点、线、面活性支撑，以吸收和隔离形变，并设置形变补偿调节机构，在系统抽真，参照有限元计算提供的理论数据预设适当的补偿量，以使其在真空状态下达到平衡。为了验证有限元计算的结果，对真空室的形变和补偿进行了测试。一步，将四只千分表***在工作台安装基点的真空壁外侧，当真空室由大气抽到真空时，山东真空镀膜，记录各千分表的变化量，经归i一化处理后为用激光自准直仪调整i形变补偿。
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PECVD主要由工艺管及电阻加热炉、净化推舟系统、气路系统、电气控制系统、计算机控制系统、真空系统6大部分组成。PECVD的主要性能指标，PECVD设备的主要特点，该设备成膜种类为氮化硅，这种PECVD成膜均匀性好、稳定性高。每片硅片间不均匀性误差在5%之内，PECVD真空镀膜，同一批硅片间的误差在6%之内，不同批次硅片间误差在7%之内。温度要求比较低，成膜温度为150℃～500℃，恒温区温度均匀，误差范围在2℃之内，并且在整个成膜过程中随时间变化小，误差范围为2℃/24h之内。升温时间较短，工作压力范围广，***真空时间短，设备封闭性强并且具有温度控制和计算机自动监控等安全措施功能。除此之外，PECVD与一般CVD相比有更多的优点。
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金属真空镀膜-半导体光刻加工厂-山东真空镀膜由广东省科学院半导体研究所提供。广东省科学院半导体研究所为客户提供“深硅刻蚀,真空镀膜,磁控溅射,材料刻蚀,紫外光刻”等业务，公司拥有“半导体”等品牌，专注于电子、电工产品加工等行业。，在广州市天河区长兴路363号的名声不错。欢迎来电垂询，联系人：曾经理。