




氮化***材料刻蚀加工厂——广东省科学院半导体研究所是广东省科学院下属骨干研究院所之一,主要聚焦半导体产业发展的应用技术研究,兼顾重大技术应用的基础研究,立足于广东省经济社会发展的实际需要,材料刻蚀加工,从事电子信息、半导体领域应用基础性、关键共性技术研究,以及行业应用技术开发。
按照被刻蚀的材料类型来划分,材料刻蚀技术,干法刻蚀主要分成三种:金属刻蚀、介质刻蚀和硅刻蚀。
刻蚀是按照掩模图形或设计要求对半导体衬底表面或表面覆盖薄膜进行选择性刻蚀的技术,它是半导体制造工艺,微电子IC制造工艺以及微纳制造工艺中的一种相当重要的步骤。是与光刻相联系的图形化处理的一种主要工艺。刻蚀分为干法刻蚀和湿法腐蚀。原位芯片目前掌握多种刻蚀工艺,并会根据客户的需求,设计刻蚀效果好且高的刻蚀解决方案。刻蚀技术主要应用于半导体器件,集成电路制造,薄膜电路,印刷电路和其他微细图形的加工等。广东省科学院半导体研究所。
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在半导体制造中有两种基本的刻蚀工艺:干法刻蚀和湿法腐蚀。
在GaN发光二极管器件制作过程中,刻蚀是一项很重要的工艺。ICP干法刻蚀常用在n型电极制作中,河南材料刻蚀,因为在蓝宝石衬底上生长LED,n型电极和P型电极位于同一侧,需要刻蚀露出n型层。
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工艺所用化学物质取决于要刻蚀的薄膜类型。
铝膜湿法刻蚀:对于铝和铝合金层有选择性的刻蚀溶液是居于磷酸的。遗憾的是,铝和磷酸反应的副产物是微小的氢气泡。这些气泡附着在晶圆表面,并阻碍刻蚀反应。结果既可能产生导致相邻引线短路的铝桥连,又可能在表面形成不希望出现的雪球的铝点。特殊配方铝刻蚀溶液的使用缓解了这个问题。典型的活性溶液成分配比是:16:1:1:2。除了特殊配方外,典型的铝刻蚀工艺还会包含以搅拌或上下移动晶圆舟的搅动。有时超声波或兆频超声波也用来去除气泡。
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