低压气相沉积真空镀膜加工厂——广东省科学院半导体研究所是广东省科学院下属骨干研究院所之一，主要聚焦半导体产业发展的应用技术研究，兼顾重大技术应用的基础研究，立足于广东省经济社会发展的实际需要，从事电子信息、半导体领域应用基础性、关键共性技术研究，以及行业应用技术开发。
为尽量减小真空镀膜机真空室形变带来的影响，我们将导轨、丝杆等传动件固定于一个刚性的中间层上，其与真空室底壁之间采用点、线、面活性支撑，真空镀膜工艺，以吸收和隔离形变，并设置形变补偿调节机构，在系统抽真，参照有限元计算提供的理论数据预设适当的补偿量，以使其在真空状态下达到平衡。为了验证有限元计算的结果，对真空室的形变和补偿进行了测试。一步，将四只千分表***在工作台安装基点的真空壁外侧，当真空室由大气抽到真空时，记录各千分表的变化量，经归i一化处理后为用激光自准直仪调整i形变补偿。
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PECVD：是借助微波或射频等使含有薄膜成分原子的气体电离，真空镀膜厂商，在局部形成等离子体，而等离子体化学活性很强，很容易发生反应，在基片上沉积出所期望的薄膜。为了使化学反应能在较低的温度下进行，利用了等离子体的活性来促进反应，因而这种CVD称为等离子体增强化学气相沉积(PECVD).实验机理：是借助微波或射频等使含有薄膜组成原子的气体，在局部形成等离子体，而等离子体化学活性很强，很容易发生反应，在基片上沉积出所期望的薄膜。基本温度低；沉积速率快；成膜质量好，较少，不易龟裂。磁控溅射主要利用辉光放电(glowdischarge)将气(Ar)离子撞击靶材(target)表面，靶材的原子被弹出而堆积在基板表面形成薄膜。溅镀薄膜的性质、均匀度都比蒸镀薄膜来的好，但是镀膜速度却比蒸镀慢比较多。新型的溅镀设备几乎都使用强力磁铁将电子成螺旋状运动以加速靶材周围的气离子化，造成靶与气离子间的撞击机率增加，提高溅镀速率。
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低压气相沉积真空镀膜加工厂——广东省科学院半导体研究所是广东省科学院下属骨干研究院所之一，湖北真空镀膜，主要聚焦半导体产业发展的应用技术研究，兼顾重大技术应用的基础研究，立足于广东省经济社会发展的实际需要，从事电子信息、半导体领域应用基础性、关键共性技术研究，以及行业应用技术开发。
一般来说，利用溅镀制程进行薄膜披覆有几项特点：
(1)金属、合金或绝缘物均可做成薄膜材料。
(2)再适当的设定条件下可将多元复杂的靶材制作出同一组成的薄膜。
(3)利用放电气氛中加入氧或其它的活性气体，可以制作靶材物质与气体分子的混合物或化合物。
(4)靶材输入电流及溅射时间可以控制，容易得到高精度的膜厚。
(5)较其它制程利于生产大面积的均一薄膜。
(6)溅射粒子几不受重力影响，靶材与基板位置可自由安排。
(7)基板与膜的附着强度是一般蒸镀膜的10倍以上，且由于溅射粒子带有高量，在成膜面会继续表面扩散而得到硬且致密的薄膜，真空镀膜实验室，同时此高量使基板只要较低的温度即可得到结晶膜。
(8)薄膜形成初期成核密度高，可生产10nm以下的薄连续膜。
(9)靶材的寿命长，可长时间自动化连续生产。
(10)靶材可制作成各种形状，配合机台的特殊设计做的控制及有率的生产。
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