等离子体增强气相沉积真空镀膜-半导体研究所-辽宁真空镀膜

低压气相沉积真空镀膜加工厂——广东省科学院半导体研究所是广东省科学院下属骨干研究院所之一，主要聚焦半导体产业发展的应用技术研究，兼顾重大技术应用的基础研究，立足于广东省经济社会发展的实际需要，从事电子信息、半导体领域应用基础性、关键共性技术研究，以及行业应用技术开发。

（5） 在光学领域：中频闭合场非平衡磁控溅射技术也已在光学薄膜（如增透膜）、低辐射玻璃和透明导电玻璃等方面得到应用。特别是透明导电玻璃广泛应用于平板显示器件、太阳能电池、微波与射频屏蔽装置与器件、传感器等。

（6）在机械加工行业中，表面功能膜、超硬膜，自润滑薄膜的表面沉积技术自问世以来得到长足发展，能有效的提高表面硬度、复合韧性、耐磨损性和抗高温化学稳定性能，从而大幅度地提高涂层产品的使用寿命。

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低压气相沉积真空镀膜加工厂——广东省科学院半导体研究所是广东省科学院下属骨干研究院所之一，主要聚焦半导体产业发展的应用技术研究，兼顾重大技术应用的基础研究，磁控溅射真空镀膜，立足于广东省经济社会发展的实际需要，从事电子信息、半导体领域应用基础性、关键共性技术研究，以及行业应用技术开发。

 在等离子增强化学气相沉积(PECVD)工艺中，由等离子体辅助化学反应过程。在等离子体辅助下，200 到500°C的工艺温度足以实现成品膜层的制备，因此该技术降低了基材的温度负荷。等离子可在接近基片的周围被激发(近程等离子法)。而对于半导体硅片等敏感型基材，辐射和离子轰击可能损坏基材。另一方面，在远程等离子法中，等离子体与基材间设有空间隔断。隔断不仅能够保护基材，也允许激发混合工艺气体的特定成分。然而，为保证化学反应在被激i活的粒子真正抵达基材表面时才开始进行，需精心设计工艺过程。

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低压气相沉积真空镀膜加工厂——广东省科学院半导体研究所是广东省科学院下属骨干研究院所之一，主要聚焦半导体产业发展的应用技术研究，兼顾重大技术应用的基础研究，立足于广东省经济社会发展的实际需要，从事电子信息、半导体领域应用基础性、关键共性技术研究，以及行业应用技术开发。

 随着技术的不断成熟，要求太阳电池的质量和外观也越来越高。目前，常用等离子增强化学气相沉积（PECVD）法沉积氮化硅，在晶硅太阳电池表面上一层小于100纳米的薄膜，氮化硅薄膜作为一种重要的薄膜材料，具有优良的光电性能、钝化性能和机械性能。它不仅是优良的太阳电池减反射膜，而且还有很好的表面和体钝化作用，能提高太阳电池的转换效率。在实际商业运用中，用PECVD沉积氮化硅薄膜的技术已较为成熟，共溅射真空镀膜，光伏太阳电池行业广泛使用板式PECVD和管式PECVD，但管式PECVD法制备的氮化硅薄膜色差问题难以解决，辽宁真空镀膜，色差会使太阳电池的外观不良，必须重新晶硅太阳电池氮化硅膜产生色差的影响因素研究返工，使得生产成本高居不下。

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