低压气相沉积真空镀膜加工厂——广东省科学院半导体研究所是广东省科学院下属骨干研究院所之一，主要聚焦半导体产业发展的应用技术研究，兼顾重大技术应用的基础研究，立足于广东省经济社会发展的实际需要，从事电子信息、半导体领域应用基础性、关键共性技术研究，以及行业应用技术开发。
化学气相沉积(CVD)是薄膜技术领域常用的成熟工艺。该工艺中，固体材料在气相态下，通过化学反应沉积到被加热的基材表面，形成一层薄膜。半导体研究院提供在电线和光纤等基材上沉积碳或氮化硅(SiC)材质的CVD工艺特殊解决方案。CVD镀膜是高温工艺，要求温度在500°C及以上，且能量输入极高。工艺腔室中的真空环境能够降低熔点，并在保障前驱体物质转化为气相态的同时，避免不必要的化学反应。与PVD工艺不同，化学气相沉积允许复杂形状及三维表面的膜层保形。该工艺也能够在硅片表面制备极为精细的结构。
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晶硅太阳电池的两个发展方向分别是降低成本和提升效率。光伏行业竞争激烈，继续降低成本十分困难，真空镀膜公司，但提升效率仍有较大空间。复合损失是影响电池效率的关键因素。对于铝背场（Al－BSF）传统电池结构和主流的PERC电池来说，电池背面金属／半导体界面缺陷密度较高，界面复合是造成效率损失的重要原因。为了降低界面复合损失，接触面积需要进一步减少。然而，接触面积占总电池面积的比例有一个下限，否则会造成接触电阻过大，导致填充因子（FF）降低，电池转换效率下降。另一个方式则是利用结对载流子的选择通过特性（有效提高一种载流子的输运，同时阻碍另一种载流子的通过），可大幅减少金属／半导体界面的复合。
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通过PECVD镀膜原理的讨论，以及后续实验的验证得出以下结论。1.硅片表面微观结构差异较大会造成比表面积明显差异，从而使氮化硅薄膜厚度产生显著差异，表现出不同颜色，即色差。2.卡点的导电导热性能发生较大改变时，原来的工艺难以匹配旧卡点。因此，旧卡点产生的色差片相对要多。3.温度会影响气体反应速率。温度高反应剧烈，膜层生长较快，温度低反应缓慢，膜层生长较慢，那么，广东真空镀膜，同一硅片就会产生色差。4.当舟叶表面的平整度发生变化时，电场就会发生改变。因此，同一硅片的不同区域的氮化硅膜层生长速度不同，从而产生色差。
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