微纳光刻加工厂——广东省科学院半导体研究所是广东省科学院下属骨干研究院所之一，主要聚焦半导体产业发展的应用技术研究，兼顾重大技术应用的基础研究，立足于广东省经济社会发展的实际需要，从事电子信息、半导体领域应用基础性、关键共性技术研究，以及行业应用技术开发。
光刻可能会出现显影不干净的异常，主要原因可能是显影时间不足、显影溶液使用周期过长，溶液溶解胶量较多、***时间不足。
光刻是平面型晶体管和集成电路生产中的一个主要工艺。是对半导体晶片表面的掩蔽物(如二氧化硅)进行开孔，以便进行杂质的定域扩散的一种加工技术。一般的光刻工艺要经历硅片表面清洗烘干、涂底、旋涂光刻胶、软烘、对准***、后烘、显影、硬烘、刻蚀、检测等工序。硅片清洗烘干方法：湿法清洗+去离子水冲洗+脱水烘焙（热板150～250C，激光器光刻，1～2分钟，氮气保护）目的：
a、除去表面的污染物（颗粒、有机物、工艺残余、可动离子）；
b、除去水蒸气，使基底表面由亲水性变为憎水性，增强表面的黏附性（对光刻胶或者是HMDS-〉六甲i基二硅胺烷）。
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微纳光刻加工厂——广东省科学院半导体研究所是广东省科学院下属骨干研究院所之一，主要聚焦半导体产业发展的应用技术研究，兼顾重大技术应用的基础研究，立足于广东省经济社会发展的实际需要，从事电子信息、半导体领域应用基础性、关键共性技术研究，生物芯片光刻，以及行业应用技术开发。
接触式***只适于分立元件和中、小规模集成电路的生产。
光刻***系统：接触式***和非接触式***的区别，在于***时掩模与晶片间相对关系是贴紧还是分开。接触式***具有分辨率高、复印面积大、复印精度好、***设备简单、操作方便和生产等特点。但容易损伤和沾污掩模版和晶片上的感光胶涂层，影响成品率和掩模版寿命，对准精度的提高也受到较多的限制。一般认为，接触式***只适于分立元件和中、小规模集成电路的生产。非接触式***主要指投影***。在投影***系统中，掩膜图形经光学系统成像在感光层上，掩模与晶片上的感光胶层不接触，不会引起损伤和沾污，硅片光刻，成品率较高，对准精度也高，能满足高集成度器件和电路生产的要求。但投影***设备复杂，技术难度高，因而不适于低档产品的生产。现代应用广的是 1:1倍的全反射扫描***系统和x:1倍的在硅片上直接分步重复***系统。
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光刻胶又称光致抗蚀剂，是一种对光敏感的混合液体。
光刻涂胶四周呈现放i射性条纹，主要可能的原因是光刻胶有颗粒、衬底未清洗干净，表面有颗粒、滴胶后精致时间过长，部分光刻胶固话，四川光刻，解决的方法主要有更换光刻胶，使用新的光刻胶涂胶来测试一下、将衬底再清洗一次再涂胶、滴胶后马上旋涂，以免光刻胶有所固化
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四川光刻-半导体微纳光刻实验室-生物芯片光刻由广东省科学院半导体研究所提供。广东省科学院半导体研究所在电子、电工产品加工这一领域倾注了诸多的热忱和热情，半导体研究所一直以客户为中心、为客户创造价值的理念、以品质、服务来赢得市场，衷心希望能与社会各界合作，共创成功，共创辉煌。相关业务欢迎垂询，联系人：曾经理。