1降低钢中的碳量使钢中合碳量低于平衡状态下在奥氏体内的饱和溶解度即从根本
上解决了铬的碳化物Cr23C6在晶界上 析出的问题。通常钢中合碳量降至0.03以下即
可满足抗晶间腐蚀性能的要求。
2加入Ti、Nb等能形成稳定碳化物TiC或NbC的元素避免在晶界上析出Cr23C6
即可防上奥氏体不锈钢的晶间腐蚀
2稳定化处理。一般是在固溶处理后进行常用于含Ti、Nb的18-8钢固处理后将
钢加热到850880℃保温后空冷 此时Cr的碳化物完全溶解脱而钛的碳化物不完全溶
解且在冷却过程中充分析出使碳不可能再形成格的碳化物因而有效地消除了晶间腐蚀。
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半导体芯片退火
半导体芯片在经过离子注入以后就需要退火。因为往半导体中注入杂质离子时，高能量的入射离子会与半导体晶格上的原子碰撞，使一些晶格原子发生位移，结果造成大量的空位，将使得注入区中的原子排列混乱或者变成为非晶区，调质，所以在离子注入以后必须把半导体放在一定的温度下进行退火，铸件调质，以***晶体的结构和消除缺陷。同时，退火还有施主和受主杂质的功能，即把有些处于间隙位置的杂质原子通过退火而让它们进入替代位置。退火的温度一般为200~800C，比热扩散掺杂的温度要低得多。
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