低压气相沉积真空镀膜加工厂——广东省科学院半导体研究所是广东省科学院下属骨干研究院所之一，主要聚焦半导体产业发展的应用技术研究，兼顾重大技术应用的基础研究，立足于广东省经济社会发展的实际需要，从事电子信息、半导体领域应用基础性、关键共性技术研究，以及行业应用技术开发。
真空镀膜的物理过程：PVD（物理的气相沉积技术）的基本原理可分为三个工艺步骤：
（1）镀料的气化：即镀料的蒸发、升华或被溅射从而形成气化源
（2）镀料粒子（（原子、分子或离子）的迁移：由气化源供出原子、分子或离子经过碰撞，产生多种反应。
（3）镀料粒子在基片表面的沉积。真空镀膜的工艺流程：真空镀膜的工艺流程一般依次为：前处理及化学清洗（表面打磨抛光喷砂，除锈除油去氧化层）→工件在真空中烘烤加热→离子辉光清洗→金属离子轰击→镀金属过渡层→镀膜（通入反应气体）→后处理（炉内钝化或出炉后钝化去应力或防止变色，过UV做防指膜处理等）。
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传统晶硅太阳电池的生产工艺过程分别为清洗制绒、扩散、刻蚀、PECVD、丝网印刷和烧结等步骤，其中清洗制绒工艺将严重影响硅片表面的绒面的均一性。取两片清洗制绒后硅片，在同一条件下进行PECVD镀氮化硅膜，片1的表面均一性较差，片2的表面均一性良好，其绒面大小约2.13μm。通过实验表明，通过PECVD沉积在片1表面的氮化硅薄膜产生了色差，即部分区域偏红，部分区域偏白。这是由于同一条件下，反应气体流量相同，比表面积大的区域沉积的氮化硅厚度越小，而比表面积小的区域则反之。相比之下，片2表面均一性较好且无色差，可见，硅片表面微观结构差异较大会造成比表面积明显差异，从而使氮化硅薄膜厚度产生显著差异，生物芯片真空镀膜实验室，表现出不同颜色，即色差。
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（5） 在光学领域：中频闭合场非平衡磁控溅射技术也已在光学薄膜（如增透膜）、低辐射玻璃和透明导电玻璃等方面得到应用。特别是透明导电玻璃广泛应用于平板显示器件、太阳能电池、微波与射频屏蔽装置与器件、传感器等。
（6）在机械加工行业中，生物芯片真空镀膜加工厂，表面功能膜、超硬膜，自润滑薄膜的表面沉积技术自问世以来得到长足发展，能有效的提高表面硬度、复合韧性、耐磨损性和抗高温化学稳定性能，从而大幅度地提高涂层产品的使用寿命。
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