天津半导体光刻工艺-半导体微纳加工实验室

微纳光刻加工厂——广东省科学院半导体研究所是广东省科学院下属骨干研究院所之一，主要聚焦半导体产业发展的应用技术研究，兼顾重大技术应用的基础研究，半导体光刻工艺实验室，立足于广东省经济社会发展的实际需要，从事电子信息、半导体领域应用基础性、关键共性技术研究，以及行业应用技术开发。

敏感度决定了光刻胶上产生一个良好的图形所需一定波长光的能量值。抗蚀性决定了光刻胶作为覆盖物在后续刻蚀或离子注入工艺中，不被刻蚀或抗击离子轰击，从而保护被覆盖的衬底。光刻胶依据不同的产品标准进行分类：按照化学反应和显影的原理，光刻胶可分为正性光刻胶和负性光刻胶。如果显影时未***部分溶解于显影液，形成的图形与掩膜版相反，称为负性光刻胶；如果显影时***部分溶解于显影液，形成的图形与掩膜版相同，称为正性光刻胶。根据感光树脂的化学结构来分类，光刻胶可以分为光聚合型、光分解型和光交联型三种类别。

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微纳光刻加工厂——广东省科学院半导体研究所是广东省科学院下属骨干研究院所之一，天津半导体光刻工艺，主要聚焦半导体产业发展的应用技术研究，兼顾重大技术应用的基础研究，立足于广东省经济社会发展的实际需要，从事电子信息、半导体领域应用基础性、关键共性技术研究，以及行业应用技术开发。

接近式光刻机，光刻版与光刻胶有一个很小的缝隙，因为光刻版与衬底没有接触，缺陷大大减少，优点是避免晶圆片与光刻版直接接触，缺陷少，缺点是分辨率低，存在衍射效应。

在光刻图案化工艺中，首先将光刻胶涂在硅片上形成一层薄膜。接着在复杂的***装置中，光线通过一个具有特定图案的掩模投射到光刻胶上。***区域的光刻胶发生化学变化，在随后的化学显影过程中被去除。后掩模的图案就被转移到了光刻胶膜上。而在随后的蚀刻 或离子注入工艺中，会对没有光刻胶保护的硅片部分进行刻蚀，后洗去剩余光刻胶。这时光刻胶的图案就被转移到下层的薄膜上，这种薄膜图案化的过程经过多次迭代，联同其他多个物理过程，便产生集成电路。

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微纳光刻加工厂——广东省科学院半导体研究所是广东省科学院下属骨干研究院所之一，半导体光刻工艺服务，主要聚焦半导体产业发展的应用技术研究，兼顾重大技术应用的基础研究，立足于广东省经济社会发展的实际需要，从事电子信息、半导体领域应用基础性、关键共性技术研究，半导体光刻工艺价格，以及行业应用技术开发。

接触式光刻***主要优点是可以使用价格较低的设备制造出较小的特征尺寸。

接触式光刻***时掩模压在光刻胶的衬底晶片上，其主要优点是可以使用价格较低的设备制造出较小的特征尺寸。接触式光刻和深亚微米光源已经达到了小于0.1μm的特征尺寸，常用的光源分辨率为0.5μm左右。接触式光刻机的掩模版包括了要到衬底上的所有芯片阵列图形。在衬底上涂上光刻胶，并被安装到一个由手动控制的台子上，台子可以进行X、y方向及旋转的***控制。掩模版和衬底晶片需要通过分立视场的显微镜同时观察，这样操作者用手动控制***台子就能把掩模版图形和衬底晶片上的图形对准了。经过紫外光***，光线通过掩模版透明的部分，图形就转移到了光刻胶上。

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