微纳光刻加工厂——广东省科学院半导体研究所是广东省科学院下属骨干研究院所之一，主要聚焦半导体产业发展的应用技术研究，兼顾重大技术应用的基础研究，立足于广东省经济社会发展的实际需要，从事电子信息、半导体领域应用基础性、关键共性技术研究，以及行业应用技术开发。
目前中国光刻胶国产化水平严重不足，芯片光刻加工工厂，***技术差距在半导体光刻胶领域，有2-3代差距。
在光刻过程中可能会出现光刻胶未涂满衬底的异常，主要原因可能以下几个：滴胶量不、胶液偏离衬底中心、滴胶是有气泡、滴胶是有“倒角”，主要的叫绝方法有：增加滴胶量、调整匀胶机水平位置、调整滴胶位置、在“倒角”处滴胶、消除“倒角”。
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光刻胶涂覆后，在硅片边缘的正反两面都会有光刻胶的堆积。
光刻（Photolithography)是一种图形转移的方法，在微纳加工当中不可或缺的技术。光刻是一个比较大的概念，芯片光刻加工多少钱，其实它是有多步工序所组成的。
1.清洗：清洗衬底表面的有机物。
2.旋涂：将光刻胶旋涂在衬底表面。
3.***。将光刻版与衬底对准，在紫外光下***一定的时间。
4.显影：将***后的衬底在显影液下显影一定的时间，受过紫外线***的地方会溶解在显影液当中。
5.后烘。将显影后的衬底放置热板上后烘，江苏芯片光刻加工，以增强光刻胶与衬底之前的粘附力。
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边缘的光刻胶一般涂布不均匀，产生边缘效应，不能得到很好的图形，而且容易发生剥离而影响其它部分的图形。
常用的光刻胶主要是两种，正性光刻胶（itive photoresist）被***的部分会被显影剂清除，负性光刻胶(negative photoresist)未被***的部分会被显影剂清除。正性光刻胶主要应用于腐蚀和刻蚀工艺，而负胶工艺主要应用于剥离工艺（lift-off）。
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