广州光刻芯片实验室-半导体测试-微流控光刻芯片实验室

微纳光刻加工厂——广东省科学院半导体研究所是广东省科学院下属骨干研究院所之一，主要聚焦半导体产业发展的应用技术研究，兼顾重大技术应用的基础研究，广州光刻芯片实验室，立足于广东省经济社会发展的实际需要，从事电子信息、半导体领域应用基础性、关键共性技术研究，以及行业应用技术开发。

边缘的光刻胶一般涂布不均匀，不能得到很好的图形，而且容易发生剥离（Peeling）而影响其它部分的图形。所以需要去除。接触式***和非接触式***的区别，在于***时掩模与晶片间相对关系是贴紧还是分开。接触式光刻***时掩模压在光刻胶的衬底晶片上，其主要优点是可以使用价格较低的设备制造出较小的特征尺寸。随着***加工特征尺寸的缩小，数字光刻芯片实验室，入射光的反射和散射对提高图形分辨率的影响也越来越大。光刻胶是一种有机化合物，它被紫外光***后，在显影溶液中的溶解度会发生变化。

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光刻胶是微电子技术中微细图形加工的关键材料之一。

普通的光刻胶在成像过程中，由于存在一定的衍射、反射和散射，降低了光刻胶图形的对比度，从而降低了图形的分辨率。随着***加工特征尺寸的缩小，入射光的反射和散射对提高图形分辨率的影响也越来越大。为了提高***系统分辨率的性能，人们正在研究在***光刻胶的表面覆盖抗反射涂层的新型光刻胶技术。该技术的引入，可明显减小光刻胶表面对入射光的反射和散射，从而改善光刻胶的分辨率性能，但由此将引起工艺复杂性和光刻成本的增加。伴随着新一代***技术（NGL）的研究与发展，微流控光刻芯片实验室，为了更好的满足其所能实现光刻分辨率的同时，光刻胶也相应发展。******技术对光刻胶的性能要求也越来越高。

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光刻技术成为一种精密的微细加工技术。

光刻层间对准，即套刻精度（Overlay），保证图形与硅片上已经存在的图形之间的对准。***中较重要的两个参数是：***能量（Energy）和焦距（Focus）。如果能量和焦距调整不好，就不能得到要求的分辨率和大小的图形。表现为图形的关键尺寸超出要求的范围。***方法：

a、接触式***（ContactPrinting）。掩膜板直接与光刻胶层接触。***出来的图形与掩膜板上的图形分辨率相当，设备简单。缺点：光刻胶污染掩膜板；掩膜板的磨损，寿命很低（只能使用5～25次）；1970前使用，分辨率〉0.5μm。

b、接近式***（ProximityPrinting）。

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