硅表面疏水性处理微观机理与亲水性处理机理相似,玻片疏水处理,硅表面成为疏性的基本条件为B=A=r(SL)- r(SG)>0
硅片表面必须由高能转化为低能表面。从上式可以看出:完成上述转化的条件为或者使 r(SG)下降,如何疏水处理,或者r(SL)上升。方法还是改变其表面结构,使 r(SG)减小。硅片经过特殊清洗液洗时,表面形成的自然氧化膜腐蚀掉,Si几乎不被腐蚀。硅片外层的Si儿乎以H键为终端结构,表面呈疏水性。





目前的PDMS芯片键合通常是采用PDMS与玻璃进行键合的方式进行,PDMS与玻璃之间的键合通常对于玻璃的材质有要求且对玻璃表面的洁净程度要求很高,如果玻璃材质变化或者玻璃表面洁净程度不够均会导致键合强度不够从而漏液。为实现良好的键合,简单疏水处理,在玻璃材质的情况下对于玻璃的清洗要求也很严格,通常通过乙醇、去离子水超声工艺以及等离子清洗等方式反复进行,江西疏水处理,工艺繁琐且造成资源浪费。解决PDMS与玻璃键合过程中对于玻璃材质的选择问题,现有技术中主要采用的是PDMS与玻璃键合时采用钠钙玻璃进行,对于石英、钢化玻璃、ITO玻璃、 镀有其他功能薄膜(Ag膜、Au膜等)等其他材质的玻璃键合效果不理想,对于镀有电极的玻璃如果电极面积占比较大也会导致PDMS与玻璃之间键合不牢固。
亲疏水处理改变材料表面接触角度,实现不同应用需求。表面亲水处理常被用在采血、样本自驱动、样本观测等液体流动类产品,使用时可起到辅助液体均匀流动的作用,从而提高产品检测准确率。疏水表面则多用于加样针、微流道芯片、微坑阵列产品等等。
1.接触角小可达8° ,大可达150°
2.聚合物、玻璃、金属、硅等多种基材均可处理
3.多种亲、疏水修饰涂层,满足不同应用场景中的表面处理需求

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