氮化硅砖是指以氧化镁(MgO)和三氧化二铬(Cr2O3)为主
氮化硅砖就是指以氧化镁(MgO)和三氧化二铬
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Cr2O3)为主要成分，方镁石和尖晶石为关键矿物质成分的耐火保温材料产品。这种砖耐火性高，高溫抗压强度大，抗偏碱渣腐蚀性强，热稳定性，对酸碱性渣也是有一定的适应能力。氮化硅（Si3N4）存有有3种结晶体构造，分别是α、β和γ三相。α和β两相是Si3N4常出現的形式，且能够 在过热蒸汽下制取。优点氮化硅砖耐火度高，高温强度大，抗碱性渣侵蚀性强，热稳定性优良，对酸性渣也有一定的适应性。γ相仅有在髙压及高溫下，才可以生成获得，它的强度可做到35GPa。氮化硅砖是以Si3N4为主要成分的独特耐火保温材料产品。相对密度3.19g/cm3。热膨胀系数小，为2.53×10-6/℃。1200℃下导热率18.4W/(m·K)。热稳定性好，1200～2000℃热交换器上一千次不毁坏。抗折强度达到200~700MPa，耐空气氧化溫度1400℃，在复原氛围中达到1870℃。室内温度电阻1.1×1014Ω·m。选用硅粉渗氮后煅烧或压合方式制得。生产制造氮化硅砖的关键原料是煅烧镁砂和铬铁矿。镁砂原料的纯净度要尽量高，铬铁矿成分的规定为：Cr2O330～45%，CaO不超1.0～1.5%。
烧造氮化硅砖的生产工艺流程与镁质砖大致差不多。以便清除砖在烧制全过程中因为MgO和Cr2O3、Al2O3或立即融合氮化硅砖。
反应烧结法(RS)是采用一般成型法
反应烧结法（ RS)
是采用一般成型法，先将硅粉压制成所需形状的生坯，放入氮化炉经预氮化（部分氮化）烧结处理，预氮化后的生坯已具有一定的强度，可以进行各种机械加工（如车、刨、铣、钻).。由于氮化硅与碳化硅、氧化铝、二氧化钍、氮化硼等能形成很强的结合，所以可用作结合材料，以不同配比进行改性。然后，在硅熔点的温度以上；将生坯再一次进行完全氮化烧结，得到尺寸变化很小的产品（即生坯烧结后，收缩率很小，线收缩率lt; 011% ). 该产品一般不需研磨加工即可使用。反应烧结法适于制造形状复杂，尺寸正常的零件，成本也低，但氮化时间很长。
热压烧结的氮化硅加热到l000°C后投入冷水中也不会
氮化硅的许多 特性都归结为在此构造。纯Si3N4为3119，有α和β二种分子结构，均为六角晶型，其溶解温度在空气中为1800℃，在110MPa氮中为1850℃。耐火浇注料在施工时，将耐火材料根据要求进行混料后即可浇注到需要施工的部位，流动性好，施工便利，缩短施工时间，使用效果好，使用范围广，还可用于耐火砖不易砌筑的部位。Si3N4
线膨胀系数低、导热率高，困穷耐高温***性不错。压合煅烧的氮化硅加温到l000℃后资金投入凉水中也不容易。不在太高的温度下，Si3N4
具备较高的强度和耐冲击性，但在1200℃之上会随使用时间的提高而出現损坏，使其强度减少，在1450℃之上更易出現疲惫毁坏，因此Si3N4
的应用温度一般不超过1300℃。因为Si3N4
的基础理论相对密度低，比钢和工程项目超耐高温碳素钢轻得多，因此，在这些规定原材料具备高强度、耐热等特性的地区用Si3N4
瓷器去替代碳素钢是再适合但是了。它是用硅粉作原材料，先用一般成形的方式制成需要的样子，在N2以及1200℃的高溫下开展基本氮化，使在其中一部分硅粉与氮反映转化成氮化硅，这时候全部坯体早已具备一定的强度。随后在1350℃～1450℃的箱式电炉中开展二次氮化，反映成氮化硅。用压合煅烧法能制得做到基础理论相对密度99%的氮化硅。 
耐火材料一般分为两种,即不定型
耐火材料一般分为两种，即不定型耐火材料和定型耐火材料。不定型耐火材料也叫浇注料，是由多种骨料或集料和一种或多种粘和剂组成的混合粉状颗料，使用时需要和一种或多种液体配合搅拌均匀，具有较强的流动性。定型耐火材料一般指耐火砖，其形状有标准规则，也可以根据需要筑切时临时加工。抗折强度可达200~700MPa，耐氧化温度1400℃，在还原气氛中可达1870℃。反应烧结法（ RS)是采用一般成型法，先将硅粉压制成所需形状的生坯，放入氮化炉经预氮化（部分氮化）烧结处理，预氮化后的生坯已具有一定的强度，可以进行各种机械加工（如车、刨、铣、钻).。然后，在硅熔点的温度以上；将生坯再一次进行完全氮化烧结，得到尺寸变化很小的产品（即生坯烧结后，收缩率很小，线收缩率lt; 011% ). 该产品一般不需研磨加工即可使用。常压烧结法（ PLS)在提高烧结氮气氛压力方面，利用Si3N4 分解温度升高（通常在N2 = 1atm气压下，从1800℃开始分解）的性质，在1700———1800℃温度范围内进行常压烧结后，再在1800———2000℃温度范围内进压烧结。该法目的在于采用气压能促进Si3N4 陶瓷***致密化，从而提高陶瓷的强度.所得产品的性能比热压烧结略低。气压烧结法（ GPS)近几年来,人们对气压烧结进行了大量的研究，获得了很大的进展。气压烧结氮化硅在1 ～10MPa气压下，2000℃左右温度下进行。高的氮气压控制了氮化硅的高温分解。由于采用高温烧结，在添加较少烧结助剂情况下，也足以促进Si3N4晶粒生长，而获得密度gt; 99%的含有原位生长的长柱状晶粒高韧性陶瓷。
