IPD60R600C6 全新原装*** 全系列优势MOS管公司大量原装现货 欢迎来电咨询！！
CoolMOS™ C6结合了英飞凌作为业内***的超结MOSFET供应商的相关经验与其***的创新技术C6 器件具备了快速开关超结 MOSFET 的所有优点，同时又不牺牲易用性。很低的开关和通态损耗使开关应用更***，结构紧凑、重量更轻、温度更低。
- 600V CoolMOS™ C6 可替代 600V CoolMOS™ C3
- 650V CoolMOS™ C6 可替代 650V CoolMOS™ C3
特征描述:
- 易于控制开关行为
- 由于非常低的品质因数（R DS(ON)*Q g）和E oss），因此损耗极低
- 非常高的换流坚固性
- 使用简便
- 与 C3 相比，具有更高的轻载效率
- 出色的可靠性和经过实践验证的 CoolMOS™ 质量以及高密度二极管耐用性
- 与以前的 CoolMOS™ 几代产品相比，性价比更高
- 更***、更紧凑、重量更轻、温度更低
优势:
- 提升功率密度
- 提升可靠性
- 通用部件可在软、硬开关拓扑中使用
- 提高轻载效率
- 提高在硬开关应用中的效率
- 改进了易用性
- 减轻可能因为 PCB 布局和封装寄生效应而引发的振荡
| Parametrics | IPD60R600C6 |
|---|---|
| Budgetary Price €€/1k | 0.4 |
| ID (@25°C) max | 7.3 A |
| ID max | 7.3 A |
| IDpuls max | 19.0 A |
| Mounting | ***T |
| Operating Temperature min | -55.0 °C |
| Ptot max | 63.0 W |
| Package | DPAK (TO-252) |
| Pin Count | 3.0 Pins |
| Polarity | N |
| QG (typ @10V) | 20.5 nC |
| QG | 20.5 nC |
| *** (on) (@10V) max | 600.0 mΩ |
| *** (on) max | 600.0 mΩ |
| Rth | 2.0 K/W |
| RthJA max | 62.0 K/W |
| RthJC max | 2.0 K/W |
| VDS max | 600.0 V |
| VGS(th) min max | 2.5 V 3.5 V |