IAUT260N10S5N019ATMA1 全新原装*** 全系列优势产品 公司大量原装现货库存 代理英飞凌全系列MOS管 欢迎来电咨询！！
| 安装风格: | ***D/***T | |
| 封装 / 箱体: | HSOF-8 | |
| 晶体管极性: | N-Channel | |
| 通道数量: | 1 Channel | |
| Vds-漏源极击穿电压: | 100 V | |
| Id-连续漏极电流: | 260 A | |
| *** On-漏源导通电阻: | 1.9 mOhms | |
| Vgs - 栅极-源极电压: | 10 V | |
| Vgs th-栅源极阈值电压: | 2.2 V | |
| Qg-栅极电荷: | 128 nC | |
| ***小工作温度: | - 55 C | |
| ***大工作温度: | + 175 C | |
| Pd-功率耗散: | 300 W | |
| 通道模式: | Enhancement | |
| 资格: | AEC-Q101 | |
| 封装: | Cut Tape | |
| 封装: | MouseReel | |
| 封装: | Reel | |
| 配置: | Single | |
| 晶体管类型: | 1 N-Channel | |
| 商标: | Infineon Technologies | |
| 下降时间: | 38 ns | |
| 产品类型: | MOSFET | |
| 上升时间: | 11 ns |