IPD082N10N3 G 全新原装*** 全系列优势MOS管 公司大量原装现货 有来电咨询！
英飞凌的 100V OptiMOS™ 功率 MOSFET 可以为***率、高功率密度的 ***PS 提供***的解决方案。与下一代出色技术相比，该系列在 R Ds（on）和 FOM（品质因数）方面均降低了30％。
特征描述
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优异的开关性能
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世界较低的 (R Ds(on))
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极低的 Qg 和 Qgd
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出色的栅极电荷 x R DS（on）产品（FOM）
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符合 RoHS 标准 - 无卤素
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MSL1 评级 2
优势
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环保
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提***率
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极高的功率密度
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减少并联
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极低的板空间消耗
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产品易于设计
潜在应用
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AC-DC ***PS的同步整流
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48V-80V 系统的电机控制（即家用车辆、电动工具、卡车）
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隔离式 DC-DC 转换器（电讯和数据通信系统）
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48V系统的开关和断路器
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D 类音频放大器
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不间断电源 (UPS)
| Parametrics | IPD082N10N3 G |
|---|---|
| Budgetary Price €€/1k | 0.59 |
| Ciss | 2990.0 pF |
| Coss | 523.0 pF |
| ID max | 80.0 A |
| IDpulsmax | 320.0 A |
| Mounting | ***D |
| Operating Temperature minmax | -55.0 °C 175.0 °C |
| Ptotmax | 125.0 W |
| Package | DPAK (TO-252) |
| Pin Count | 3.0 Pins |
| Polarity | N |
| QG (typ @10V) | 42.0 nC |
| *** (on) (@10V) max | 8.2 mΩ |
| Rth | 1.2 K/W |
| RthJAmax | 62.0 K/W |
| RthJCmax | 1.2 K/W |
| VDSmax | 100.0 V |
| VGS(th) (typ) minmax | 2.7 V 2.0 V 3.5 V |