去边（Edge bead removal-EBR）--去胶边的过程，蚀刻标牌，通常在涂胶后将溶剂喷在硅片的背面或前 边沿上。 前烘（Soft-bake）-- 在涂胶后用来去除胶溶剂的温度步骤。 ***-- 把涂胶后的硅片，暴露在某种形式的射线下，以在胶上产生隐约的图像 的步骤。 PEB —***以后消除胶里的由衬底反射引起的胶里的驻波的温度步骤。 显影（Development）-- 在***以后分解胶产生掩膜图案的过程。 后烘 (Hard-bake)—用来去除残留溶剂，金属蚀刻，增加胶的沾着力和耐腐能力，在显影后完成，可以包 括 DUV 固胶。
蚀刻是在光刻过的基片上可通过湿刻（wet etching）和干刻（dry etching）等方法将 阻挡层上的平面二维图形加工成具有一定深度的立体结构。选用适当的蚀刻剂，使 它对光胶、薄膜和基片材料的腐蚀速度不同，孝感蚀刻，可以在薄膜或基片上产生所需的微结 构。 ? 复杂的微结构可通过多次重复薄膜沉积－光刻－蚀刻这三个工序来完成。微流控基片通过预处理，涂胶，前烘，***，显影及坚膜，去胶等步骤后，材料上 呈现所需要的图形，即通道网络。 盖板与微流控芯片基片的封接 ? 基片和盖板封接后形成封闭的小池，可用来储存***或安装电极。
氯化铵含量的影响 通过蚀刻再生的化学反应可以看出﹕﹝Cu(NH3)2﹞1 的再生需要有过量的 NH3 和 NH4CL 存在。 如果溶液中缺乏 NH4CL， 而使大量的﹝Cu(NH3)2﹞1 得不到再生﹐蚀刻速率就会降低 ﹐以至失去蚀刻能力。 所以﹐氯化铵的含量对蚀刻速率影响很大。 随着蚀刻的进行﹐要不 断补加氯化铵。 但是﹐溶液中 CL 含量过高会引起抗蚀层被浸蚀。 一般蚀刻液中 NH4CL 含 量应在 150g/L 左右。
铝网蚀刻定制-延铭标牌(在线咨询)-孝感蚀刻由深圳市延铭标牌工艺有限公司提供。深圳市延铭标牌工艺有限公司（）实力雄厚，信誉可靠，在广东 深圳 的工业制品等行业积累了大批忠诚的客户。公司精益求精的工作态度和不断的完善创新理念将***延铭标牌和您携手步入辉煌，共创美好未来！
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氯化铵含量的影响 通过蚀刻再生的化学反应可以看出﹕﹝Cu(NH3)2﹞1 的再生需要有过量的 NH3 和 NH4CL 存在。 如果溶液中缺乏 NH4CL， 而使大量的﹝Cu(NH3)2﹞1 得不到再生﹐蚀刻速率就会降低 ﹐以至失去蚀刻能力。 所以﹐氯化铵的含量对蚀刻速率影响很大。 随着蚀刻的进行﹐要不 断补加氯化铵。 但是﹐溶液中 CL 含量过高会引起抗蚀层被浸蚀。 一般蚀刻液中 NH4CL 含 量应在 150g/L 左右。
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