微型PECVD系统，它包括小型真空管式炉，石英真空室、真空抽气与真空测量系统、气路系统、射频电源系统、物料喷射系统。电源范围宽：0-100W可调； 温度范围宽：100-1200度可调；溅射区域宽：0-600mm可调；适用范围宽:金属薄膜，陶瓷薄膜等，复合薄膜，连续生长各种薄膜等。增加功能容易，可扩展等离子清洗刻蚀等功能。
主要特点
1. 薄膜沉积速率高：采用了甚高频技术，大大的提高了薄膜的沉积速率，沉积速率可达10Å/S；
2. 大面积均匀性高：采用了***的多点射频馈入技术，特殊气路分布和加热技术等，使得薄膜均匀性指标达到8%；
3. 一致性高：用半导体行业的***设计理念，使得一次沉积的各基片之间偏差低于2%；
4. 工艺稳定性高：高度稳定的设备保证了工艺的连续和稳定；
2. 大面积均匀性高：采用了***的多点射频馈入技术，特殊气路分布和加热技术等，使得薄膜均匀性指标达到8%；
3. 一致性高：用半导体行业的***设计理念，使得一次沉积的各基片之间偏差低于2%；
4. 工艺稳定性高：高度稳定的设备保证了工艺的连续和稳定；
5. 选配物料喷射系统，可将原料直接喷射到反应区。
技术参数
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真空管式炉 |
炉管尺寸： |
外径Φ50×700mm |
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极限温度： |
1200℃ |
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温度控制器： |
PID自动控制晶闸管（可控硅）输出功率，30段可编程控制器 |
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***快升降温速率： |
60℃ |
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加热区： |
230mm |
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恒温区： |
100mm |
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温度精度： |
&plu***n;1℃ |
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电源： |
单相220V,交流50Hz |
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多通道流量计控制系统 |
标准量程： |
100，200SCCM；（以氮气标定，除以上标准外量程可选） |
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准确度： |
&plu***n;1.5% |
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工作压差范围： |
0.1～0.5 MPa |
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***大压力： |
3MPa |
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接头类型： |
Φ6双卡套不锈钢接头 |
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高真空系统
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泵体积流量N2： |
33 L/S |
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压缩比： |
≥1011mbar |
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实验真空值： |
≤10-6mbar |
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功率消耗： |
140W |
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启动时间： |
2min |
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电源要求： |
185-265V AC |
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射频电源 |
信号频率： |
13.56MHz&plu***n;0.005%W |
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功率输出范围： |
0-100W |
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***大反射功率： |
10W |