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镀膜设备

以下是制备的必要条件：

① 在沉积温度下，反应物具有足够的蒸气压，镀膜设备，并能以适当的速度被引入反应室；

② 反应产物除了形成固态薄膜物质外，真空镀膜设备厂，都必须是挥发性的；

③ 沉积薄膜和基体材料必须具有足够低的蒸气压。

CVD技术是作为涂层的手段而开发的，真空镀膜设备，但不只应用于耐热物质的涂·层，真空镀膜设备公司，而且应用于高纯度金属的精制、粉末合成、半导体薄膜等，是一个颇具特征的技术领域，其工艺成本具体而定。

化学气相沉积工艺是这样一种沉积工艺，被沉积物体和沉积元素（单元或多元）蒸发化合物置于反应室，当高温气流进入反应室时，可控制的反应室可使其发生一种合适的化学反应，导致被沉积物体的表面形成一种膜层，同时将反应产物及多余物从反应室蒸发排除。

化学气相沉积（简称CVD），也即化学气相镀或热化学镀或热解镀或燃气镀，属于一种薄膜技术。常见的化学气相沉积工艺包括常压化学气相沉积（NPCVD），低压化学气相沉积（LPCVD），大气压下化学气相沉积（APCVD）。

（1）化学气相沉积（CVD）反应温度一般在900~1200℃，中温CVD例如MOCVD（金属有机化合***学气相沉积），反应温度在500~800℃。若通过气相反应的能量，还可把反应温度降低。

（2）常压化学气相沉积（NPCVD）或大气压下化学气相沉积（APCVD）是在0.01—0.1MPa压力下进行，低压化学气相沉积（LPCVD）则在10-4 MPa下进行。CVD或辉光放电CVD，是低压CVD的一种形式，其优点是可以在较低的基材温度下获得所希望的膜层性能。