气相沉积主要分为两大类：
化学气相沉积(，简称CVD)；
物***相沉积(，简称PVD)。
，人们利用易挥发的液体TiCI稍加热获得TiCI气体和NH气体一起导入高温反应室，让这些反应气体分解，再在高温固体表面上进行遵循热力学原理的化学反应，生成TiN和HCI，HCi被抽走，TiN沉积在固体表面上成硬质固相薄膜。人们把这种通过含有构成薄膜元素的挥发性化合物与气态物质，在固体表面上进行化学反应，且生成非挥发性固态沉积物的过程，称为化学气相沉积(，CVD)。
同时，人们把另一类气相沉积，即通过高温加热金属或金属化合物蒸发成气相，或者通过电子、等离子体、光子等荷能粒子的能量把金属或化合物靶溅射出相应的原子、离子、分子(气态)，在固体表面上沉积成固相膜，其中不涉及到物质的化学反应(分解或化合)，称为物***相沉积PVD)。
随着气相沉积技术的发展和应用，上述两类型气相沉积各自都有新的技术内容，两者相互交叉，你中有我，我中有你，致使难以严格分清是化学的还是物理的。
（1）化学气相沉积（CVD）反应温度一般在900~1200℃，中温CVD例如MOCVD（金属有机化合***学气相沉积），反应温度在500~800℃。若通过气相反应的能量，还可把反应温度降低。
“辅助”CVD的工艺较多，主要有：
① 电子辅助CVD（EACVD）（也称为电子束辅助CVD，电子增强CVD，或电子束诱导CVD），涂层的形成在电子作用下得到改进。
② 激光辅助CVD（LACVD)，也称为激光CVD或光子辅助CVD，涂层的形成在激光辐照作用下得到改进。
③ 热丝CVD，也称为热CVD，一根热丝放在被镀物件附近进行沉积。
④ 金属有机化合物CVD（MOCVD），是在一种有机金属化合物气氛（这种气氛在室温时是稳定的，但在高温下分解）中进行沉积。
物***相沉积（PVD）是一项众所周知的技术，广泛应用于薄膜沉积，涉及许多方面，包括摩擦学性能改善，光学增强，视觉/美学提升以及许多其他领域，涉及范围广泛。已经建立的应用程序。加工工具可能是该沉积技术的常见应用之一，有时与化学气相沉积（CVD）结合使用，以延长其使用寿命，减少摩擦并改善热性能。然而，CVD工艺在较高的温度下进行，从而在涂层和基材中产生较高的应力，基本上仅在需要使用该工艺沉积所需的涂层时才使用。为了改进此技术，已进行了多项研究，以优化PVD技术，方法是增加等离子体电离，减少暗区（反应器中没有沉积物的区域），改善靶材的使用，提高原子轰击效率，甚至提高沉积速率并优化气体选择。
