镀膜制造需要部分耗材1.SIO2颗粒或环状(∮300*∮230*T7.5mm,)需要根据机台配置选用。2.TIO2颗粒。3.晶振片Filtex 6MHZ或INFICON6MHZ。4.监控片BK7 Φ142*80*1.8mm,需要根据机台配置选用。5.铜坩埚,需要根据机台配置选用。6.铝箔厚度0.05mm*宽610mm。7.电子枪灯丝,需要根据机台配置选用。8.离子源,需要根据机台配置选用耗材。
众所周知，在某些材料的表面上，只要镀上一层薄膜，就能使材料具有许多新的、良好的物理和化学性能。20世纪70年代，在物体表面上镀膜的方法主要有电镀法和化学镀法。前者是通过通电，使电解液电解，被电解的离子镀到作为另一个电极的基体表面上，因此这种镀膜的条件，基体必须是电的良导体，而且薄膜厚度也难以控制。后者是采用化学还原法，必须把膜材配制成溶液，并能迅速参加还原反应，这种镀膜方法不仅薄膜的结合强度差，而且镀膜既不均匀也不易控制，同时还会产生大量的废液，造成严重的污染。因此，这两种被人们称之为湿式镀膜法的镀膜工艺受到了很大的限制。
化学气相沉积技术是把含有构成薄膜元素的单质气体或化合物供给基体，借助气相作用或基体表面上的化学反应，在基体上制出金属或化合物薄膜的方法，主要包括常压化学气相沉积、低压化学气相沉积和兼有CVD和PVD两者特点的等离子化学气相沉积等。
真空镀膜技术与湿式镀膜技术相比较，具有下列优点：(1)薄膜和基体选材广泛，薄膜厚度可进行控制，以制备具有各种不同功能的功能性薄膜。(2)在真空条件下制备薄膜，环境清洁，薄膜不易受到污染，因此可获得致密性好、纯度高和涂层均匀的薄膜。(3)薄膜与基体结合强度好，薄膜牢固。(4)干式镀膜既不产生废液，也无环境污染。
