边缘抛光
硅片边缘抛光的目地是以便除去在硅片边缘残余的腐蚀坑。当硅片边缘越来越光洁，硅片边缘的地应力也会越来越匀称。地应力的分布均匀，使硅片更牢固。抛光后的边缘能将颗粒物尘土的吸咐降至***少。硅片边缘的抛光方式 类似硅片表面的抛光。硅片由一真空泵离心管吸起，以一定视角在一转动桶旋转且不防碍桶的竖直转动。该桶有一抛光垫片并有水泥砂浆穿过，用一化学/机械设备抛光法将硅片边缘的腐蚀坑清除。电池片退火:双工位热氧化炉经氮气吹扫后,用红外加热至300~500℃,硅片表面和氧气发生反应,使硅片表面形成二氧化硅保护层。另一种方式 是只对硅片边缘开展酸腐蚀。
加热清理（Class1k）
在硅片进到抵御平稳前，必须清理，将有机化合物及金属材料脏污清除，假如有金属材料残余在硅片表面，回收电池片，当进到抵御平稳全过程，溫度上升时，会进到硅身体。这儿的清理全过程是将硅片浸入在能清除有机化合物和金属氧化物的清洁液（H2SO4 H2O2）中，很多金属材料会以金属氧化物方式融解入有机化学清洗剂中；同时，组件商近两年已加大在海外建厂的力度，进一步将“双反”影响降低。随后，用盐酸（HF）将硅片表面的空气氧化层融解以清除废弃物。
硅片切割片、研磨片、抛光片清洗过程。
切割片： 准备过程 去除胶粘结剂和石墨 超声波清洗 甩干 结束工作 。
研磨片： 准备工作 粗洗 F浸泡 超声波清洗 甩干 结束工作 。
抛光片： 准备工作 去蜡 送检（一） 清洗 送检（二） 结束工作 。
碱性二氧化硅抛光方法与原理。
碱对硅的腐蚀反应；
胶粒见的吸附作用；
抛光衬垫与硅片的机械摩擦作用；
碱的络合作用。
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从中标企业申报的技术参数上看，单晶组件大获全胜，废旧电池片回收，并且以PERC组件为主。在输出功率上，主要以310或370Wp两类为主，而在转化率上，大多数都在18.8%及以上。这次“双反”强调的是，如果硅片来自中国内地，而组件和电池在海外并出口至美国的话，不在“双反”范围内；如果使用中国内地的硅片、台湾地区的电池再返回到内地做成组件，出口美国就会被征税。广东省光伏产业促进会副秘书长朱薇桦对新快报记者表示，“随着台湾地区这条路被封堵，开拓新兴市场、转向内地市场已经成为现在选择。现在的光伏电站逆变器上都配备了监控模块，每天的发电量、电站是否故障，都可通过监控系统随时随地查看，分析故障原因，大大方便了***运维。
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