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4.1 ***
从图 5 的印刷原理示意中可以看出，***的作用是将浆料以一定的速度和角度将浆料压入丝网的漏孔中，***在印刷时对丝网保持一定的压力，刃口压强在 10 ～ 15N ／ cm 之间，刮板压力过大容易使丝网发生变形，印刷后的图形与丝网的图形不一致，也加剧***和丝网的磨损，刮板压力过小会在印刷后的丝网上存在残留浆料。
***材料一般为聚胺脂橡胶或氟化橡胶，硬度范围为邵氏 A60° ～ A90° ，刮板条的硬度越低，印刷图形的厚度越大，***材料必须耐磨，刃口有很好的直线性，保持与丝网的全接触；***一般选用菱形***，它具有 4 个刃口，可逐个使用，利用率高。
***速度：***速度是决定效率的大因素，以半自动印刷机为例，印刷所占时间一般为总循环的 2 ／ 3 ；印刷速度的设定由印刷图形和印刷用浆料的黏度决定，速度越高，***带动浆料进入丝网漏孔的时间越短，浆料的填充性会差，出现图 7 所示现象，如果印刷线条精细，速度应低一些，图 4 所示的正银工序中栅线的线宽在 0.1 ～ 0.12nun ，拆卸组件，一般速度设定在 200 ～ 250mm ／ s ，图 3 所示的背铝和背银工序因印刷线条宽速度设定在 300mm ／ s ；印刷用浆料因不同工序而不同，相应黏度不同，但总体黏度比较低，所以印刷速度较快；在实际的印刷中速度的恒定同样很重要，如果在印刷过程中速度出现波动，会导致图形厚度的不一致。
电池片的制作工艺
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影响因素
1 ．频率
射频 PECVD 系统大都采用 50kHz~13.56 MHz 的工业频段射频电源。较高频率（ gt;4MHz ）沉积的氮化硅薄膜具有更好的钝化效果和稳定性。
2 ．射频功率
增加 RF 功率通常会改善 SiN 膜的质量。但是，功率密度不宜过大，超过 1W/cm2 时器件会造成严重的射频损伤。
3 ．衬底温度
PECVD 膜的沉积温度一般为 250 ～ 400 ℃ 。这样能保证氮化硅薄膜在HF 中有足够低的腐蚀速率，并有较低的本征压力，从而有良好的热稳定性和抗裂能力。低于 200 ℃ 下沉积的氮化硅膜，本征应力很大且为张应力，而温度高于 450 ℃ 时膜容易龟裂。
4 ．气体流量
影响氮化硅膜沉积速率的主要气体是 SiH4 。为了防止富硅膜，选择NH3/SiH4=2~20 （体积比）。气体总流量直接影响沉积的均匀性。为了防止反应区下游反应气体因耗尽而降低沉积速率，通常采用较大的气体总流量，以保证沉积的均匀性。
5 ．反应气体浓度
SiH4 的百分比浓度及 SiH4/NH3 流量比，对沉积速率、氮化硅膜的组分及***性质均有重大影响。
理想 Si3N4 的 Si/N ＝ 0.75 ，而 PECVD 沉积的氮化硅的化学计量比会随工艺不同而变化，但多为富硅膜，可写成 SiN 。因此，必须控制气体中的 SiH4 浓度，不宜过高，并采用较高的 SiN 比。除了 Si 和 N 外， PECVD 的氮化硅一般还包含一定比例的氢原子，即 SixNyHZ 或 SiNx :H 。
6 ．反应压力、和反应室尺寸 等都是影响氮化硅薄膜的性能工艺参数。
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2. 短路电流
在一定的温度和辐照条件下，太阳电池在端电压为零时的输出电流，通常用 I sc 来表示。
将 PN 结短路（ V=0 ），因而 IF=0 ，这时所得的电流为短路电流 Isc ，显然有： I sc = I L ， I sc 与太阳电池的面积大小有关，面积越大， I sc 越大。 I sc 与入射光的辐照度成正比。
3. 功率点
在太阳电池的伏安特性曲线上对应大功率的点，又称佳工作点。
4. 工作电压
太阳电池伏安特性曲线上大功率点所对应的电压。通常用 V m 表示
5. 工作电流
太阳电池伏安特性曲线上大功率点所对应的电流。通常用 I m 表示
6. 转换效率
受光照太阳电池的大功率与入射到该太阳电池上的全部辐射功率的百分比。 η = V m I m / A t
P in 其中 V m 和 I m 分别为大输出功率点的电压和电流， A t 为太阳电池的总面积， P in 为单位面积太阳入射光的功率。
7. 填充因子
太阳电池的大功率与开路电压和短路电流乘积之比，通常用 FF 表示： FF = I m V m / I sc V oc
I sc V oc 是太阳电池的极限输出功率， I m V m 是太阳电池的大输出功率，填充因子是表征太阳电池性能优劣的一个重要参数。
8. 电流温度系数
在规定的试验条件下，被测太阳电池温度每变化 1 0 C ，太阳电池短路电流的变化值，通常用 α 表示。对于一般晶体硅电池 α = 0.1%/ 0 C 。
9. 电压温度系数
在规定的试验条件下，被测太阳电池温度每变化 1 0 C ，太阳电池开路电压的变化值，通常用 β 表示。对于一般晶体硅电池 β = - 0.38%/ 0 C 。
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