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PECVD
PE 目的
在硅片表面沉积一层氮化硅减反射膜，以增加入射在硅片上的光的透射，减少反射，氢原子搀杂在氮化硅中附加了氢的钝化作用。
其化学反应可以简单写成 ： SiH 4 NH 3 =SiN:H 3H 2 。
基本 原理
PECVD 技术原理是利用低温等离子体作能量源，样品置于低气压下辉光放电的阴极上，利用辉光放电（或另加发热体）使样品升温到预定的温度，然后通入适量的反应气体，气体经一系列化学反应和等离子体反应，在样品表面形成固态薄膜。 PECVD 方法区别于其它 CVD 方法的特点在于等离子体中含有大量高能量的电子，它们可以提供化学气相沉积过程所需的***能。电子与气相分子的碰撞可以促进气体分子的分解、化合、激发和电离过程，生成活性很高的各种化学基团，因而显著降低 CVD 薄膜沉积的温度范围，使得原来需要在高温下才能进行的 CVD 过程得以在低温下实现。
基本特征
1. 薄膜沉积工艺的低温化（ lt; 450 ℃ ）。
2. 节省能源，降低成本。
3. 提高产能。
4. 减少了高温导致的硅片中少子寿命衰减。
扩散方式
PE 设备有两类：平板式和管式。
按反应方式分为：直接式（岛津）和间接式（ Roth ＆ Rau ）。
直接式：基片位于一个电极上，直接接触等离子体。
间接式：基片不接触激发电极。 在微波激发等离子的设备里，等离子产生在反应腔之外，然后由石英管导入反应腔中。在这种设备里微波只激发 NH3 ，而 SiH4 直接进入反应腔。间接 PECVD 的沉积速率比直接的要高很多，这对大规模生产尤其重要。
电池片的检验
电池片的检验
一十三、印刷图型
主栅线：
***：主栅线容许有轻度断开、缺少、歪曲、突显，断开和缺少总面积不超出主栅线总面积的5%，废旧光伏电池板回收，歪曲突显部超出一切正常部位的0.2mm，不容许有掉色状况（烧糊、变黄）
新的规范：主栅大小匀称，不容许有断开，缺少、歪曲及其突显。
B级：断开和缺少总面积不超出主栅线总面积的10%，歪曲突显部超出一切正常部位的0.2mm，不容许有掉色状况（烧糊、变黄）
新的规范：主栅大小匀称，容许有断开，缺少总面积不超出主栅线总面积的5%，歪曲突显不超出一切正常部位的0.2mm，不容许有掉色状况（烧糊、变黄）
C级：断开和缺少总面积不超出主栅线总面积的20%，歪曲突显部超出一切正常部位的0.2mm，不容许有掉色状况
新的规范：主栅线：断开，缺少总面积不超出主栅线总面积的20%，歪曲、突显不超出一切正常部位的0.5mm，
副栅线：
***：副栅线容许大小不匀称，存有总宽超过0.13mm，低于18mm的副栅线，段栅线≤6条，晋城光伏电池板，断开间距≤2mm，容许有轻度虚印、缺印，总面积低于电级占地面积的5%.
新的规范：副栅线清楚，容许有两根栅线存有断开，断掉总数≤3条，断掉间距≤0.5mm；不容许有一切虚印、粗点；不容许有掉色状况。
B级：容许大小不匀称，存有总宽≤0.25mm的副栅线，光伏电池板回收公司，段栅线≤10条，断开间距≤2mm，容许有轻度虚印、缺印，总面积低于电级占地面积的10%.
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太阳电池片标准
4.1.6 外观
电池的颜色应均匀一致，无明显的色差、水痕、手印等外观缺陷。
电池的崩边、钝性缺口等外形缺损的尺寸要求：长度不大于 1.5mm ，由边缘向中心的深度不大于0.5mm ，同一片电池上正面出现此类外形缺损数量不超过三处。同时不允许电池上有肉眼可见的裂纹以及 V 形缺口。
4.2 力学性能
4.2.1 弯曲变形
一般情况下，电池的弯曲变形用电池的弯曲度来衡量。不同尺寸规格的电池允许的大弯曲度应在产品详细规范中规定。
4.2.2 电极附着强度或电极 / 焊点的抗拉强度
电极附着应牢固，电极附着强度或电极 / 焊点的抗拉强度不小于1.22N/mm. 。
4.3 电性能
4.3.1 电性能参数的温度系数
应按照电池使用要求的温度范围，测量其电性能参数的温度系数。
4.3.2 电性能参数
电池电性能参数（包括低辐照度性能）应在产品详细规范中规定。
4.4 热循环试验
经 -40 °～ 85 °温度循环 5 次后，电池的外观，力学性能符合本标准规定的要求，电池的转换效率衰减不超过 3% 。
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